[发明专利]用于衬底剥离的鲁棒LED结构有效
申请号: | 200880112484.1 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101868863A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | Q·莫;A·达吉奥 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 龚海军;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 剥离 led 结构 | ||
1.一种用于制作发光装置的方法,包括:
在衬底上提供倒装芯片发光二极管(LED)管芯,其中所述LED安装在底座上,使得所述LED管芯位于所述底座和所述衬底之间,所述衬底比所述LED管芯更宽且更长,使得所述衬底的边缘延伸超过所述LED管芯的边缘;
在所述LED管芯和所述底座之间以及所述LED管芯和衬底的边缘周围提供绝缘底层填料;
从所述LED管芯移除所述衬底,其中通过所述底层填料的围绕所述衬底边缘的部分围绕所述LED管芯来形成壁,所述壁的内部边界与所述LED管芯的边缘横向分隔;以及
在所述衬底被移除之后,将光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上,所述光学元件的边缘的至少部分位于所述底层填料的壁之内。
2.如权利要求1所述的方法,其中移除所述衬底包括使用激光剥离技术移除所述衬底。
3.如权利要求1所述的方法,其中在衬底上提供LED管芯包括:
提供具有形成于衬底晶片之上的LED层的晶片;
围绕LED区域蚀刻LED材料的外延层以沿着所述LED区域的侧边缘暴露部分所述衬底;以及
从所述晶片分离所述LED区域以在所述衬底上形成所述LED管芯,使得所述衬底的边缘延伸超过所述LED管芯的边缘。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底为生长衬底。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述衬底为蓝宝石。
6.如权利要求1所述的方法,其中在衬底上提供LED管芯包括将所述LED管芯的表面上的电极结合到底座表面上的相应电极,其中所述LED安装在所述底座上。
7.如权利要求1所述的方法,其中提供绝缘底层填料包括在所述LED管芯和所述底座之间以及在所述LED管芯和衬底的边缘周围注入底层填料。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底的边缘延伸超过所述LED管芯的边缘至少0.05mm。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述衬底的边缘延伸超过所述LED管芯的边缘至少0.1mm。
10.如权利要求1所述的方法,其中将光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上包括将磷光体板放置在所述LED管芯的露出的表面之上。
11.如权利要求1所述的方法,其中将光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上包括将所述光学元件粘合紧固到所述LED管芯的露出的表面上。
12.如权利要求1所述的方法,其中将光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上包括将表面尺寸大于所述LED管芯的表面尺寸的光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上,使得所述光学元件的至少一个边缘延伸超过所述LED管芯的边缘。
13.如权利要求1所述的方法,其中将光学元件放置在所述LED管芯的露出的表面之上包括将透镜放置在所述LED管芯的露出的表面之上。
14.一种在衬底移除步骤之前的半成品发光装置,包括:
在衬底上的倒装芯片发光二极管(LED)管芯;
底座,所述LED管芯安装在所述底座上,使得所述LED管芯位于所述底座和所述衬底之间,所述衬底比所述LED管芯更宽且更长使得所述衬底的边缘延伸超过所述LED管芯的边缘;以及
位于所述LED管芯和所述底座之间以及所述LED管芯和衬底的边缘周围的绝缘底层填料。
15.一种发光装置,包括:
倒装芯片发光二极管(LED)管芯,其中所述LED管芯形成在衬底上,该衬底已经从所述LED管芯移除;
底座,所述LED管芯安装在所述底座上;
位于所述LED管芯和所述底座之间以及所述LED管芯的边缘周围的绝缘底层填料,其中所述底层填料材料的壁在所述LED的露出的表面之上和周围延伸,并且其中所述壁的内部边界与所述LED管芯的边缘横向分隔;以及
位于所述LED管芯的露出的表面之上的光学元件,所述光学元件的边缘的至少部分在所述底层填料的壁的内部边界内。
16.如权利要求15所述的装置,其中所述光学元件为紧固到所述LED管芯的露出的表面的磷光体板。
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