[发明专利]用于薄膜太阳能应用的微晶硅沉积

权利要求书

1.一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法，包括：

在反应区中放置基板；

将混合气体提供至反应区，其中所述混合气体包括含硅气体和氢气；

以第一沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第一区域；

以高于所述第一沉积速率的第二沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第二区域；以及

以低于所述第二沉积速率的第三沉积速率在所述基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沉积速率在约与约之间，其中所述第二沉积速率在约与约之间，其中所述第三沉积速率在约与约之间。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

以约1,000sccm至约3,000sccm的流速提供含硅气体，以约100,000sccm至约300,000sccm的流速提供氢气，以及提供约0.2Watts/cm²至约0.6Watts/cm²的RF功率，以形成所述本征型微晶硅层的第一区域；

以约1,000sccm至约6,000sccm的流速提供含硅气体，以约200,000sccm至约600,000sccm的流速提供氢气，以及提供0.6Watts/cm²至约0.9Watts/cm²的RF功率，以形成所述本征型微晶硅层的第二区域；以及

以约1,000sccm至约3,000sccm的流速提供含硅气体，以约100,000sccm至约300,000sccm的流速提供氢气，以及提供约0.2Watts/cm²至约0.6Watts/cm²的RF功率，以形成所述本征型微晶硅层的第三区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述本征型微晶硅层的第一区域形成为约与约之间的厚度，其中所述本征型微晶硅层的第二区域形成为约与约之间的厚度，其中所述本征型微晶硅层的第三区域形成为约与约之间的厚度。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在形成所述本征型微晶硅层之前，形成p型微晶硅层，其中形成所述p型微晶硅层包括：

以1sccm/L至约20sccm/L的流速提供含硅气体，以100sccm/L至约6,000sccm/L的流速提供氢气，以0.005sccm/L至约0.05sccm/L的流速提供p型掺杂物，以及提供50mW/cm²至约700mW/cm²的RF功率；以及

在所述本征型微晶硅层上方形成n型硅层，其中形成所述n型硅层包括：

以约100sccm/L至约300sccm/L的流速提供含硅气体，以约100sccm/L至约2000sccm/L的流速提供氢气，提供约0.05sccm/L至约1.5sccm/L之间的n型掺杂物，以及提供约100mW/cm²至约900mW/cm²的RF功率。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在形成所述p型微晶硅层之前，形成p-i-n结，其中形成所述p-i-n结包括：

以约10sccm/L至约200sccm/L的流速提供含硅气体，以约100sccm/L至约1,000sccm/L的流速提供氢气，以约0.05sccm/L至约1sccm/L的流速提供p型掺杂物，以及提供15mW/cm²至约200mW/cm²的RF功率，以形成p型非晶硅层；

以约100sccm/L至约200sccm/L的流速提供含硅气体，以约100sccm/L至约3,000sccm/L的流速提供氢气，以及提供15mW/cm²至约250mW/cm²的RF功率，以形成本征型非晶硅层；以及

以约1sccm/L至约250sccm/L的流速提供含硅气体，以约100sccm/L至约5,000sccm/L的流速提供氢气，提供0.005sccm/L至约0.0151sccm/L的n型掺杂物，以形成n型硅层。