[发明专利]高纯度镱、包含高纯度镱的溅射靶、含有高纯度镱的薄膜及高纯度镱的制造方法有效
| 申请号： | 200880113007.7 | 申请日： | 2008-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101835914A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;八木和人 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B5/04;C22B9/02;C22B9/16;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 包含 溅射 含有 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度镱，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下。
2.如权利要求1所述的高纯度镱，其特征在于，氧含量为200重量ppm以下。
3.一种溅射靶，其包含具有权利要求1或2中任一项所述的组成的高纯度镱。
4.一种薄膜，其含有具有权利要求1或2中任一项所述的组成的高纯度镱。
5.一种高纯度镱的制造方法，其特征在于，将氧化镱与还原性金属一起在真空中加热并且蒸馏，从而得到高纯度镱。
6.如权利要求5所述的高纯度镱的制造方法，其特征在于，将通过蒸馏得到的镱在1～100个大气压的还原性气氛下或者惰性气氛下熔融并凝固，从而形成锭。
7.如权利要求5或6所述的高纯度镱的制造方法，其中，使用纯度2N以上且低于4N的氧化镱原料、并将其纯化，从而除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下。
8.如权利要求5～7中任一项所述的高纯度镱的制造方法，其特征在于，氧含量为200重量ppm以下。
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