[发明专利]喷淋头、包括该喷淋头的基底制程装置以及使用该喷淋头的等离子体供应方法有效
申请号: | 200880113503.2 | 申请日: | 2008-09-04 |
公开(公告)号: | CN101849280A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;杨勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋 包括 基底 装置 以及 使用 等离子体 供应 方法 | ||
1.一种喷淋头,包括:
一个第一环状件,其具有一个在其内形成的内部喷口;
一个第二环状件,其被配置为围绕第一环状件,该第二环状件排布在第一环状件的外侧,使得第二环状件与第一环状件间隔开;以及
一个连接构件,其用于将第一环状件和第二环状件互相连接,其中一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。
2.根据权利要求1所述的喷淋头,还包括:
一个第三环状件,其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中,使得第三环状件与第一环状件间隔开,其中
第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口。
3.根据权利要求2所述的喷淋头,其中所述第三环状件经由所述连接构件连接至第一和第二环状件。
4.根据权利要求3所述的喷淋头,其中所述第三环状件与所述连接构件是可分离的。
5.根据权利要求1所述的喷淋头,还包括:
一个第四环状件,其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口中,使得该第四环状件与第一环状件和第二环状件间隔开,其中
该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。
6.根据权利要求5所述的喷淋头,其中所述第四环状件经由所述连接构件连接至第一和第二环状件。
7.根据权利要求6所述的喷淋头,其中所述第四环状件与所述连接构件是可分离的。
8.根据权利要求1所述的喷淋头,还包括:
一个盘状的中心板,其与第一环状件具有相同的中心。
9.根据权利要求8所述的喷淋头,其中
所述连接构件包括多个从中心板沿径向方向向外延伸的连接杆,且所述连接杆绕中心板的中心以等角间隔布置。
10.一种基底制程装置,包括:
一个腔室,其具有一内部空间,在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程;
一个支撑构件,其排布在腔室中用于支撑基底;以及
一个喷淋头,其排布在支撑构件上方且平行于支撑构件,用于向放置在支撑构件上的基底供应等离子体,该喷淋头包括:
一个第一环状件,其具有一个在其内形成的内部喷口;
一个第二环状件,其被配置为围绕第一环状件,该第二环状件排布在第一环状件的外侧,使得第二环状件与第一环状件间隔开;以及
一个连接构件,其用于将第一环状件和第二环状件互相连接,其中一个外部喷口在第一环状件和第二环状件之间形成。
11.根据权利要求10所述的基底制程装置,还包括:
一个支撑框架,其用于将喷淋头固定至支撑构件的顶部,其中该喷淋头位于该支撑框架的上端。
12.根据权利要求10所述的基底制程装置,其中所述喷淋头还包括:
一个第三环状件,其排布于在第一环状件内形成的内部喷口中,使得第三环状件与第一环状件间隔开,该第三环状件具有一个在其内形成的最内部的喷口。
13.根据权利要求12所述的基底制程装置,其中所述第三环状件经由所述连接构件连接至第一和第二环状件。
14.根据权利要求13所述的基底制程装置,其中所述第三环状件与所述连接构件是可分离的。
15.根据权利要求10所述的基底制程装置,其中所述喷淋头还包括:
一个第四环状件,其排布于在第一环状件和第二环状件之间形成的外部喷口之间,使得该第四环状件与第一环状件和第二环状件间隔开,该第四环状件具有一个在其外侧形成的最外部的喷口。
16.根据权利要求15所述的基底制程装置,其中所述第四环状件经由所述连接构件连接至第一和第二环状件。
17.根据权利要求16所述的基底制程装置,其中所述第四环状件与所述连接构件是可分离的。
18.根据权利要求10所述的基底制程装置,其中所述喷淋头还包括:
一个盘状的中心板,其与第一环状件具有相同的中心。
19.根据权利要求18所述的基底制程装置,其中所述连接构件包括多个从中心板沿径向方向向外延伸的连接杆,且所述连接杆绕中心板的中心以等角间隔布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造