[发明专利]功率放大器及控制功率放大器的方法

权利要求书

1.一种功率放大器，包括MOS晶体管和输出匹配电路，所述MOS晶体管具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路与所述MOS晶体管的漏极端子相连，所述功率放大器的特征在于：

向所述MOS晶体管施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内；

ZL(＝RL+j·XL)表示与利用所述MOS晶体管的栅极宽度W(mm)归一化的、在从漏极端子看所述输出匹配电路时的负载阻抗相等的值；以及

ZL的实部(RL)为RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。

2.根据权利要求1的功率放大器，特征在于ZL的虚部(XL)为XL＞-1.28(Ω·mm)且XL＜2.05(Ω·mm)。

3.一种功率放大器，包括栅极长度为180nm或更小的MOS晶体管，特征在于：

向所述功率放大器选择性地施加多载波调制信号或单载波调制信号；以及

对于单载波调制，向所述MOS晶体管施加预定的DC电压作为漏源电压，对于多载波调制，向所述MOS晶体管施加比所述预定的DC电压更高的DC电压作为漏源电压。

4.根据权利要求3的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶体管施加利用在DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，以及

所述功率放大器包括电源电路，所述电源电路对于单载波调制产生设置在0.5至0.9范围内的Vd_n，对于多载波调制产生比单载波调制的范围更高的Vd_n。

5.根据权利要求3的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶体管施加利用在DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，以及

所述功率放大器包括电源电路，所述电源电路对于单载波调制产生设置在0.5至0.9范围内的Vd_n，对于多载波调制产生在0.9至1范围内、比单载波调制的范围更高的Vd_n。

6.一种功率放大器，包括多个功率放大器单元，每个功率放大器单元包括栅极长度为180nm或更小的MOS晶体管，所述功率放大器的特征在于：

将至少一个功率放大器单元指定为向其施加单载波调制信号的单载波功率放大器单元，并且将与其不同的至少一个功率放大器单元指定为向其施加多载波调制信号的多载波功率放大器单元；

向所述单载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加预定的DC电压作为漏源电压；以及

向所述多载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加比所述预定的DC电压更高的DC电压作为漏源电压。

7.根据权利要求6的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶体管施加利用在DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，以及

所述功率放大器包括电源电路，用于向所述单载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加设置在0.5至0.9范围内的Vd_n以及向所述多载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加比单载波调制的范围更高的Vd_n。

8.根据权利要求6的功率放大器，特征在于：

向所述MOS晶体管施加利用在DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，以及

所述功率放大器包括电源电路，用于向所述单载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加设置在0.5至0.9范围内的Vd_n，以及向所述多载波功率放大器单元中的所述MOS晶体管施加在0.9至1范围内、比单载波调制的范围更高的Vd_n。

9.根据权利要求3至8中任一项的功率放大器，特征在于所述单载波调制是ASK、FSK、BPSK、QPSK、8相PSK或16QAM之一，并且所述多载波调制是OFDM。

10.根据权利要求1至9中任一项的功率放大器，特征在于所述MOS晶体管是n沟道的。

11.根据权利要求1至10中任一项的功率放大器，特征在于所述MOS晶体管通过CMOS工艺形成。

12.根据权利要求1至11项中任一项的功率放大器，其中所述功率放大器在等于或高于10GHz的频率下工作。