[发明专利]离子行为的评价方法和评价装置

权利要求书

1.一种离子行为的评价方法，根据在用取向膜夹住液晶而成的液晶单元中产生的残留DC电压来评价离子行为，其特征在于：

包括如下工序：

在预先确定的多个温度的各个温度下，测量对上述液晶单元施加包含直流电压成分的电压的施加时间和对上述液晶单元施加该电压后所产生的残留DC电压的多个组合；

根据上述多个温度的各个温度下的上述施加时间和上述残留DC电压的多个组合，确定该温度下的离子向上述液晶与上述取向膜之间的界面吸附的吸附速率常数和离子从该界面脱离的脱离速率常数；以及

根据上述多个温度的各个温度下的上述吸附速率常数确定离子向上述界面吸附的吸附能量，并且根据上述多个温度的各个温度下的上述脱离速率常数确定离子从上述界面脱离的脱离能量。

2.一种离子行为的评价方法，根据在用取向膜夹住液晶而成的液晶单元中产生的残留DC电压来评价离子行为，其特征在于：

包括如下工序：

在预先确定的多个温度的各个温度下，测量将上述液晶单元设为开放状态之后的残留DC电压随时间的变化；

根据将上述液晶单元设为开放状态之后的残留DC电压随时间的变化，确定上述多个温度的各个温度下离子从上述液晶与上述取向膜之间的界面迟豫的多个迟豫速率常数中的第一迟豫速率常数和第二迟豫速率常数；以及

根据上述多个温度的各个温度下的上述第一迟豫速率常数确定与上述第一迟豫速率常数相对应的第一迟豫能量，并且根据上述多个温度的各个温度下的上述第二迟豫速率常数确定与上述第二迟豫速率常数相对应的第二迟豫能量。

3.一种离子行为的评价方法，根据在用取向膜夹住液晶而成的液晶单元中产生的残留DC电压来评价离子行为，其特征在于：

包括如下工序：

在预先确定的多个温度的各个温度下，测量对上述液晶单元施加包含直流电压成分的电压的施加时间t和对上述液晶单元施加该电压后所产生的残留DC电压V_rDC的多个组合；

通过使用

[数式1]

VrDC(t)=(qCLC)(kanfkanf+kd)N[1-exp{-(kanf+kd)t}]]]>

进行的曲线拟合，来根据上述多个温度的各个温度下的上述施加时间t和上述残留DC电压V_rDC的多个组合，确定该温度下的离子向上述液晶与上述取向膜之间的界面吸附的吸附速率常数k_a·n_f以及离子从该界面脱离的脱离速率常数k_d；以及

通过使用

[数式2]

kanf=(kanf)0exp(-EakT)]]>

进行曲线拟合，来根据上述多个温度的各个温度下的上述吸附速率常数ka·nf确定离子向上述界面吸附的吸附能量E_a，并且，通过使用

[数式3]

kd=(kd)0exp(-EdkT)]]>

进行曲线拟合，来根据上述多个温度的各个温度下的上述脱离速率常数k_d确定离子从上述界面脱离的脱离能量E_d

(k_a：液晶层中的离子吸附到界面的速率常数，n_f：液晶层中的离子浓度，q：基元电荷，C_LC：液晶层的电容；k：玻尔兹曼常数，T：绝对温度)。