[发明专利]放射线检测装置的制造方法、放射线检测装置和放射线成像系统有效
申请号: | 200880114009.8 | 申请日: | 2008-11-04 |
公开(公告)号: | CN101842901A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 石井孝昌;望月千织;渡边实 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测 装置 制造 方法 成像 系统 | ||
1.一种放射线检测装置的制造方法,包括以下的步骤:
制备矩阵阵列,所述矩阵阵列包含基板、布置于该基板上的绝缘层和布置于该绝缘层上的多个像素,其中,所述像素包含将入射的放射线或光转换成电信号的转换元件;
将用于覆盖所述多个像素的柔性支撑部件固定到所述矩阵阵列的与所述基板相反的一侧;以及
使所述基板从所述矩阵阵列脱离。
2.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,其中,
所述柔性支撑部件是第一电磁屏蔽层,
在固定所述柔性支撑部件的步骤中,第一闪烁体层被固定于所述多个像素上,所述第一电磁屏蔽层被固定于所述第一闪烁体层上以形成叠层结构,在所述叠层结构中,所述多个像素、所述第一闪烁体层和所述第一电磁屏蔽层被依次层叠。
3.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,其中
所述柔性支撑部件是第一电磁屏蔽层,
在固定所述柔性支撑部件的步骤中,第一闪烁体层和被预先固定到所述第一闪烁体层的所述第一电磁屏蔽层被固定于所述多个像素上,以形成叠层结构,在所述叠层结构中,所述多个像素、所述第一闪烁体层和所述第一电磁屏蔽层被依次层叠。
4.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,其中
所述柔性支撑部件是第一闪烁体层,
在固定所述柔性支撑部件的步骤中,第一电磁屏蔽层被固定于所述多个像素上,具有金属层的第一电磁屏蔽层被固定于所述第一闪烁体层上以形成叠层结构,在所述叠层结构中,所述多个像素、所述第一闪烁体层和所述第一电磁屏蔽层被依次层叠。
5.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,其中
所述柔性支撑部件是第一闪烁体层,
在固定所述柔性支撑部件的步骤中,第一闪烁体层和被预先固定到所述第一闪烁体层上的具有金属层的第一电磁屏蔽层被固定于所述多个像素上,所述第一电磁屏蔽层被固定于所述第一闪烁体层上,以形成叠层结构,在所述叠层结构中,所述多个像素、所述第一闪烁体层和所述第一电磁屏蔽层被依次层叠。
6.根据权利要求2所述的放射线检测装置的制造方法,还包括以下步骤:
在所述绝缘层的其中基板脱离的一侧的所述绝缘层的表面上固定第二闪烁体层。
7.根据权利要求2所述的放射线检测装置的制造方法,还包括以下步骤:
在所述绝缘层的其中基板脱离的一侧的所述绝缘层的表面上固定第二闪烁体层,并且,在所述第二闪烁体层上固定第二电磁屏蔽层。
8.根据权利要求2所述的放射线检测装置的制造方法,还包括以下步骤:
在所述绝缘层的其中基板脱离的一侧的所述绝缘层的表面上固定第二闪烁体层和被预先固定到第二闪烁体层的第二电磁屏蔽层。
9.根据权利要求6所述的放射线检测装置的制造方法,其中,
所述转换元件和所述第二闪烁体层之间的距离为100nm~50μm。
10.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,其中,所述矩阵阵列包含在所述多个像素的外周布置的连接电极。
11.根据权利要求10所述的放射线检测装置的制造方法,其中
所述柔性支撑部件进一步覆盖所述连接电极。
12.根据权利要求10所述的放射线检测装置的制造方法,还包括以下步骤:
将所述连接电极连接到外部电路上。
13.根据权利要求12所述的放射线检测装置的制造方法,其中
所述柔性支撑部件进一步覆盖所述外部电路的至少一部分。
14.根据权利要求12所述的放射线检测装置的制造方法,其中
在所述基板脱离的步骤之后,从绝缘层侧进行连接电极的所述连接。
15.根据权利要求12所述的放射线检测装置的制造方法,还包括:
将所述电磁屏蔽层电连接到所述外部电路的接地电极的步骤。
16.根据权利要求1所述的放射线检测装置的制造方法,还包括:
将柔性光源固定到所述柔性矩阵阵列的其中基板脱离的一侧的步骤,该侧是与所述柔性支撑部件侧相反的一侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880114009.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制造方法
- 下一篇:互动声音合成
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的