[发明专利]Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底有效
| 申请号： | 200880114264.2 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101842884A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;田边达也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 电子器件 半导体 外延 衬底 | ||
1.一种III族氮化物电子器件，其特征在于，包括：
第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N(0＜X1＜1，0≤X2＜1，0＜X1+X2＜1)层；
与所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层形成异质结的第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N(0≤Y1＜1，0≤Y2＜1，0≤Y1+Y2＜1)层；
设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第一电极；及
设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第二电极，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层位于所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层上，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的带隙大于所述第二AIY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的带隙，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的碳浓度小于1×1017cm-3，
所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的位错密度小于1×108cm-2，
所述第一电极在所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上形成肖特基结。
2.一种III族氮化物电子器件，其特征在于，包括：
第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N(0＜X1＜1，0≤X2＜1，0＜X1+X2＜1)层；
与所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层形成异质结的第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N(0≤Y1＜1，0≤Y2＜1，0≤Y1+Y2＜1)层；
设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第一电极；及
设置于所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上的第二电极，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层位于所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层上，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的带隙大于所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的带隙，
所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层的硅浓度为1×1017cm-3以上，
所述第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层的位错密度小于1×108cm-2，
所述第一电极在所述第一AlX1InX2Ga1-X1-X2N层上形成肖特基结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
