[发明专利]多区域处理系统及处理头

权利要求书

1.一种处理方法，其用以处理基板上的一位置隔离区域，包含：

修正介于一沉积头与所述基板的所述位置隔离区域之间的一处理区域的容积；

在所述基板的位置隔离区域上执行一干式处理；以及

在进行处理的同时，经由围绕一沉积头组件周围的区域而抽空所述处理区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述处理区域内的位置隔离区域上沉积一均匀的膜，且其中，所述沉积头为标的物或喷淋头中的一个。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积头组件包括一内壁，该内壁定义所述处理区域的周边；且修正的步骤在所述内壁静止时，移动所述沉积头。

4.如权利要求1所述的方法，还包含：

将定义围绕所述周围的区域的外壁定位为更靠近所述基板而不是所述内壁的底部部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，多个位置隔离区域被类似地处理，但介于所述沉积头与所述基板之间的间隔不同。

6.一种半导体处理室，包含：

基板支座，其用以支撑一基板；

处理头，其设置于所述基板支座的上方，所述处理头在垂直于所述基板的表面的垂直方向上可移动，所述处理头被包括于一处理头组件内，该处理头组件在所述基板的一部分上方定义一处理区域；其中，所述处理头在所述处理头组件内是可移动的。

7.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所述处理头被配置于所述处理头组件的一内壁内，且一屏蔽与所述内壁的至少一下部分开，并围绕所述至少一下部。

8.如权利要求7所述的半导体处理室，其中，所述内壁与所述处理头沿所述垂直方向且相对于所述屏蔽是可移动的，以修正所述处理区域的容积。

9.如权利要求7所述的半导体处理室，其中，所述处理头相对于所述内壁是可移动的，以修正所述处理区域的容积。

10.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所述处理头为包含同心环的喷淋头，在处理所述基板的所述部分时，所述同心环能在一内环中进行沉积，且能透过一外环移除流体。

11.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所述处理头组件沿一半径方向移动，且所述基板支座绕着一轴线旋转。

12.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所述处理头组件绕着一轴线旋转，该轴线不同于基板支座轴线，且所述基板支座在所述室内线性移动。

13.如权利要求7所述的半导体处理室，其中，所述屏蔽与所述内壁彼此沿垂直方向独立移动。

14.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，多个处理头被设置在所述基板的上方，且所述多个处理头中的一个被配置为执行不同于所述多个处理头中的另一个的处理操作。

15.一种处理头，其用于位置隔离半导体制造操作，所述处理头包含：

定义装置，其用以利用一包括处理头的处理头组件在一基板的表面上定义一位置隔离区域；

调整装置，其用以调整介于所述处理头、所述处理头组件、及所述基板的表面上的位置隔离区域之间的处理区域的容积；

执行装置，其用以在所述基板的表面上的位置隔离区域上执行一处理；及

抽空装置，其用以在执行处理的同时抽空所述处理区域。

16.如权利要求15所述的处理头，其中，所述调整装置相对于所述基板的表面移动所述处理头，且其中，所述抽空装置包括施加真空装置，该施加真空装置用以将真空施加到接近所述处理头组件与所述位置隔离区域的区域。

17.如权利要求15所述的处理头，还包含：

独立移动装置，其用以相对于所述处理头组件独立移动一壁，该壁包围所述处理头组件的底部部分；以及

处理装置，其用以处理多个位置隔离区域，且多个位置隔离区域的处理头与基板之间的间隔相异。

18.如权利要求15所述的处理头，其中，用以在一基板的表面上定义一位置隔离区域的所述定义装置是处理头的内壁，且用以抽空所述处理区域的所述抽空装置通过一外壁来施加真空，所述外壁与所述内壁的下部分开，并围绕所述下部。