[发明专利]可光成像的支化聚合物

权利要求书

1.一种形成微电子结构的方法，所述方法包括：

提供具有表面的基材；

向所述表面施用组合物，所述组合物包含包括支化聚合物、支化低聚物或其混合物的化合物，所述化合物具有第一分子量；

使所述组合物中的化合物交联；和

对所述组合物进行曝光，烘焙所述组合物，从而使所述化合物解交联，并使所述化合物断裂成各部分，这些部分中至少约80％具有小于所述第一分子量的相应的分子量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括使所述各部分与显影剂接触从而从所述表面去除所述各部分。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化合物包含与乙烯基醚反应的酸基团。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述酸基团选自羧基、酚、磺酰胺、氟化醇及其混合物。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化合物包含初始数量的具有下式结构的连接基团：

其中R选自烷基、烯烃、芳基、芳基烷基、环基、-CO-、-SO-、-S-、-CONH-、二醇和金刚烷基。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，R选自以下基团：

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交联包括使所述化合物热交联。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交联产生组合物的层，该层基本不溶于光刻胶溶剂中。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述交联产生已交联化合物，其包含最终数量的具有下式结构的连接基团：

其中R选自芳基、烷基、芳基烷基、烯烃、环基、-CO-、-SO-、-S-、-CONH-、二醇和金刚烷基，其中所述最终数量大于所述初始数量。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光和烘焙产生基本可溶于光刻胶显影剂中的层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光和烘焙导致具有下式结构的连接基团中的至少一个键(*)断裂：

其中R选自芳基、烷基、芳基烷基、烯烃、环基、-CO-、-SO-、-S-、-CONH-、二醇和金刚烷基。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材是微电子基材。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基材选自硅、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、亚硝酸钽、SiGe、离子注入层、低k介电层和介电层。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于：

所述基材进一步包括限定孔的结构，所述结构包括侧壁和底壁；和

所述施用包括向所述孔的侧壁和底壁的至少一部分施用该组合物。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基材包括离子注入层，所述施用包括形成与所述离子注入层相邻的所述组合物的层。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述曝光之前施用光刻胶层。

17.一种化合物，其具有下式的结构：

其中n是大约4-30。