[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法有效
申请号: | 200880114579.7 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101842744A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 影山景弘;山田文彦 | 申请(专利权)人: | 爱发科成膜株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色调 坯料 制造 方法 | ||
1.一种包括玻璃基板的半色调掩模,所述半色调掩模(10)包含:
透光部分,其使用所述玻璃基板;
第一半透光部分,其包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层;以及
挡光部分,其包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层;
其中,所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成;
所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。
2.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中所述第二元素具有从1原子百分比到20原子百分比的含量比例。
3.根据权利要求1或2所述的半色调掩模,其中所述蚀刻停止层还包括从由钒(V)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的第三元素。
4.根据权利要求3所述的半色调掩模,其中所述第二元素具有从1原子百分比到20原子百分比的含量比例;以及
所述第三元素具有10原子百分比或以下的含量比例。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的半色调掩模,其中所述蚀刻停止层包括包含所述第一元素和所述第二元素的合金,或从由所述合金的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的一种。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的半色调掩模,还包含:
第二半透光部分,其包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的第二半透光层、以及设置在所述第一半透光层和所述第二半透光层之间的蚀刻停止层;以及
所述第二半透光层由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。
7.一种半色调掩模坯料,包含:
玻璃基板;
形成在所述玻璃基板上的第一半透光层;
叠加在所述第一半透光层上方的挡光层;以及
形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层;
其中,所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成;
所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素以及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。
8.根据权利要求7所述的半色调掩模坯料,其中所述第二元素具有从1原子百分比到20原子百分比的含量比例。
9.根据权利要求7或8所述的半色调掩模坯料,其中所述蚀刻停止层还包括从由钒(V)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的第三元素。
10.根据权利要求9所述的半色调掩模坯料,其中所述第二元素具有从1原子百分比到20原子百分比的含量比例;以及
所述第三元素具有10原子百分比或以下的含量比例。
11.根据权利要求7至10任意一项所述的半色调掩模坯料,其中所述蚀刻停止层包括包含所述第一元素和所述第二元素的合金,或从由所述合金的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的一种。
12.根据权利要求7至11任意一项所述的半色调掩模坯料,还包含:
第二半透光层,其形成在所述蚀刻停止层与所述挡光层之间,其中所述第二半透光层由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。
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