[发明专利]间接辐射检测器

权利要求书

1.一种检测辐射(X)的间接辐射检测器，该检测器包括：

像素元件(P1-P6)阵列，每个像素元件(P)被至少细分为第一(PE1)子像素元件和第二(PE2)子像素元件，每个子像素元件具有平行于像素元件阵列的表平面(60)的截面面积(A1，A2)，

其中第一子像素元件(PE1)的截面面积(A1)不同于第二子像素元件(PE2)的截面面积(A2)，并且

其中第一子像素元件(PE1)包括设置在子像素元件侧面上的光敏装置(PS1)，该侧面基本正交于所述像素元件阵列的所述表平面。

2.如权利要求1所述的检测器，其中第二子像素元件(PE2)包括设置在子像素元件(PE2)侧面上的光敏装置(PS2)，该侧面基本正交于所述像素元件阵列的所述表平面。

3.如权利要求1所述的检测器，其中第二子像素元件(PE2)包括设置在子像素元件(PE2)侧面上的光敏装置(PS2)，该侧面基本平行于所述像素元件阵列的所述表平面。

4.如权利要求3所述的检测器，其中基本正交于辐射(X)的入射方向(U)的该侧面被定位在检测器的相对于入射辐射(X)的后侧上。

5.如权利要求1-3之任一所述的检测器，其中第一和第二子像素元件(PE1，PE2)具有正交于所述像素元件阵列的表平面的不同的几何中心。

6.如权利要求5所述的检测器，其中第一和第二子像素元件(PE1，PE2)具有平行于所述像素元件阵列的表平面且大致为矩形的截面面积(A1，A2)。

7.如权利要求1-3之任一所述的检测器，其中第一和第二子像素元件(PE1，PE2)具有正交于所述像素元件阵列的表平面的基本相同的几何中心。

8.如权利要求1所述的检测器，其中第一子像素元件(PE1)的前表面和/或后表面分别与第二子像素元件(PE2)的前表面和/或后表面基本对齐。

9.如权利要求6所述的检测器，其中其上设置有光敏装置(PS1)的侧面是第一子像素元件(PE1)的具有最大面积的侧面。

10.如权利要求1所述的检测器，其中第二子像素元件(PE2)和第一子像素元件(PE1)的截面面积(A2，A1)之比至少为5，优选至少为10。

11.如权利要求1所述的检测器，其中每个像素元件(P)被至少细分为第一，第二和第三子像素元件(PE1，PE2，PE3)，每个子像素元件具有平行于所述像素元件阵列的表平面(60)的截面面积(A1，A2，A3)。

12.如权利要求11所述的检测器，其中三个子像素元件(PE1，PE2，PE3)的截面面积(A1，A2，A3)之比在从大约1∶5∶25到大约1∶10∶100的范围内。

13.如权利要求1所述的检测器，其中所述第一和第二子像素元件(PE1，PE2)被耦合到光子计数电路装置。

14.如权利要求13所述的检测器，其中第一和第二子像素元件被设置有光子计数电路装置，以测量通量密度辐射的两个不同子范围。

15.如权利要求1所述的检测器，其中光敏装置(PS)为雪崩二极管(APD)，硅光电倍增管(SiPM)，电压偏置光电二极管，或光电倍增管。

16.如权利要求1所述的检测器，其中像素元件包括LSO，LYSO，GSO，YAP，LuAP，或LaBr3，或它们的任何合金。

17.一种包括辐射检测器的正电子发射断层摄影(PET)设备，其中该辐射检测器包括：

像素元件(P1-P6)阵列，每个像素元件(P)被至少细分为第一子像素元件(PE1)和第二子像素元件(PE2)，每个子像素元件具有平行于所述像素元件阵列的表平面(60)的截面面积(A1，A2)，

其中第一子像素元件(PE1)的截面面积(A1)不同于第二子像素元件(PE2)的截面面积(A2)，并且

其中第一子像素元件(PE1)包括设置在子像素元件侧面上的光敏装置(PS1)，该侧面基本正交于所述像素元件阵列的所述表平面。