[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种绝缘栅双极性晶体管，在俯视半导体基板时，其被划分为，形成有绝缘栅双极性晶体管元件的活性区以及包围活性区的外围区，其特征在于，具有：

第一导电型的漂移层，其被形成为横跨活性区与外围区；

第二导电型的体区，其被形成在活性区中的漂移层的表层上；

第二导电型的外围耐压保证区，其被形成在外围区中的漂移层的表层上，且包围体区；

第二导电型的集电层，其被形成在漂移层的背面一侧并横跨活性区与外围区，

其中，外围区中的集电层的厚度薄于活性区中的集电层的厚度，

外围耐压保证区的背面与漂移层的背面之间的距离大于体区的背面与漂移层的背面之间的距离。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，外围耐压保证区的厚度厚于体区的厚度。

3.如权利要求1或2所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，活性区中漂移层的背面比外围区中漂移层的背面更为凹陷。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，体区的表面比外围耐压保证区的表面更为凹陷。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，

在漂移层的背面和集电层之间形成有缓冲层，该缓冲层所含有的第一导电型的杂质的浓度高于漂移层，

外围区中的缓冲层的厚度厚于活性区中的缓冲层的厚度。

6.如权利要求1至5中的任意一项所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，

在漂移层的背面和集电层之间形成有缓冲层，且与漂移层相比，该缓冲层所含有的第一导电型的杂质的浓度更高，

外围区中的缓冲层的杂质浓度高于活性区中的缓冲层的杂质浓度。

7.一种绝缘栅双极性晶体管，在俯视半导体基板时，其被划分为，形成有绝缘栅双极性晶体管元件的活性区以及包围活性区的外围区，其特征在于，具有：

第一导电型的漂移层，其被形成为横跨活性区与外围区；

第二导电型的体区，其被形成在活性区中的漂移层的表层上；

第二导电型的外围耐压保证区，其被形成在外围区中的漂移层的表层上，且包围体区；

缓冲层，其被形成在漂移层的背面一侧并横跨活性区与外围区，且与漂移层相比，该缓冲层所含有的第一导电型的杂质的浓度更高；

第二导电型的集电层，其被形成在缓冲层的背面一侧并横跨活性区与外围区，

其中，从集电层向外围区中的漂移层注入的第二导电型载流子的量，少于从集电层向活性区中的漂移层注入的第二导电型载流子的量。

8.如权利要求7所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，外围区中的缓冲层的厚度厚于活性区中的缓冲层的厚度。

9.如权利要求7所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，外围区中的缓冲层的杂质浓度高于活性区中的缓冲层的杂质浓度。

10.一种半导体装置，在俯视半导体基板时，其被划分为形成有半导体元件的活性区以及包围活性区的外围区，其特征在于，具有：

第一导电型的半导体层，其被形成为横跨活性区与外围区；

第二导电型的第一半导体区，其被形成在活性区中的半导体层的表层上；

第二导电型的第二半导体区，其被形成在外围区中的半导体层的表层上，且包围第一半导体区，

其中，第一半导体区的表面比第二半导体区的表面更为凹陷，

第二半导体区的厚度厚于第一半导体区的厚度，

第二半导体区的背面与半导体层的背面之间的距离大于第一半导体区的背面与半导体层的背面之间的距离。