[发明专利]表面等离子体极化激元调制

权利要求书

1.一种装置，包括：

具有金属表面的基板；

用于光学地产生在金属表面上传播的表面等离子体极化激元的结构；

具有面对金属表面的表面的介电物体，所述介电物体能够被控制为，在沿着和接近金属表面的不同位置的阵列处，调整介电常数的值。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，介电物体包括：面对金属表面的介电层、以及沿着所述介电层放置的磁或电控制器，每个控制器能够改变介电层的相邻部分的介电常数。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述结构包括沿着金属表面的变形的规则阵列。

4.根据权利要求1所述的装置，

还包括：MEMS致动器阵列；以及

其中，介电物体包括柔性介电层或介电块阵列，每个MEMS致动器能够改变所述柔性介电层的相应部分或所述介电块中相应的一个介电块距所述金属表面的距离。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，介电物体能够被操作为，在沿着由所述结构产生的表面等离子体极化激元的射流的波阵面的多个位置处，调整有效介电常数的值。

6.根据权利要求1所述的装置，

还包括：MEMS致动器阵列；以及

其中，介电物体包括介电块阵列，每个MEMS能够改变所述介电块中相应的一个介电块距所述金属表面的距离。

7.一种方法，包括：

在金属表面上产生表面等离子体极化激元的射流；

以改变所产生的射流的波阵面的形状的方式，对所产生的射流的波阵面进行空间调制；以及

其中，所述调制包括：相对于每个波阵面的第二部分的传播速度，减小每个波阵面的第一部分的传播速度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述调制包括：操作多个MEMS致动器，以将介电层的部分或者介电块移动靠近或远离顶部金属表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述操作包括：移动所述介电层的部分或者所述介电块，所述介电层的每个部分或者每个介电块具有沿着所述表面和所述波阵面的宽度，该宽度小于射流的表面等离子体极化激元的波长。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

检测由射流的空间调制后的波阵面的一部分辐射的光，所述光是从沿着顶部金属表面的变形的规则阵列辐射的。