[发明专利]透明标志牌及其制作方法有效
申请号: | 200880114883.1 | 申请日: | 2008-03-20 |
公开(公告)号: | CN101849206A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 吴尚根;朴度炯;尹汝焕 | 申请(专利权)人: | 拓普纳诺斯株式会社 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 标志 及其 制作方法 | ||
1.一种透明标志牌,包括:
透明基底;
由聚合物制成的电极层,其含有多个关于插入其间的预定图案区域相互独立的导电部分,和在预定图案区域上形成并与导电部分整体形成的非导电部分;以及
设置用于将所述独立的导电部分相互连接的发光器件。
2.根据权利要求1所述的透明标志牌,其中所述电极层的所述聚合物是导电性的,所述电极层的所述非导电部分是通过所述聚合物导电性能去活化而成为非导电性的。
3.根据权利要求1或2所述的透明标志牌,其中所述电极层的所述聚合物是由聚对苯撑(PPP)、聚吡咯(PPy)、聚噻吩(PT)、聚异硫茚(PITN)、聚苯胺(PANI)、以及它们的衍生物中的至少一种制成。
4.根据权利要求3所述的透明标志牌,其中所述电极层的所述非导电部分,除了所述电极层的所述聚合物之外,进一步含有非导电性透明聚合物,诸如聚丙烯酸类、聚氨酯类、三聚氰胺类、环氧树脂类、以及它们的衍生物。
5.一种用于制作透明标志牌的方法,包括:
制备透明基底;
在所述透明基底上形成由导电性聚合物制成的电极层;
在预定图案区域上将所述电极层的导电性能去活化;以及
形成设置用于将关于预定图案区域相互独立的电极层相互连接的发光器件。
6.根据权利要求5所述的方法,其中在预定图案区域上的所述电极层导电性能的去活化作用包括在所述预定图案区域上涂覆油墨而使所述电极层的所述导电性能去活化。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述导电性聚合物是聚对苯撑(PPP)、聚吡咯(PPy)、聚噻吩(PT)、聚异硫茚(PITN)、聚苯胺(PANI)、或它们的衍生物,而所述油墨是典型的氧化剂如次氯酸钠、亚氯酸钠、高氯酸(HClO4)、过氧化氢(H2O2)、过硼酸钠和过氧化钠之一。
8.根据权利要求5所述的方法,其中在预定图案区域上所述电极层导电性能的去活化作用包括向所述电极层上的所述预定图案区域施加激光束而使所述聚合物的所述导电性能去活化。
9.根据权利要求5所述的方法,其中在预定图案区域上所述电极层导电性能的去活化作用包括通过蚀刻所述电极层除去导电层而形成预定图案。
10.根据权利要求5~9任一项所述的方法,进一步包括在涂覆所述油墨之后干燥或除去所述油墨。
11.一种透明标志牌,包括:
透明基底;
形成于所述透明基底上并由碳纳米管制成的电极图案;和
设置用于连接至所述电极图案的发光器件。
12.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中所述电极图案具有10%~99%的透明度,并具有范围为1Ω/□~1MΩ/□的表面电阻。
13.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中所述电极图案具有范围为1nm~100μm的线宽,或具有范围为1nm~1μm的厚度。
14.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中导电性金属连接至所述碳纳米管表面上,所述导电性金属包括选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铁(Fe)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、铂(Pt)和钯(Pd),或它们的组合的组中的一种。
15.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中导电性金属连接至所述碳纳米管表面上,所述导电性金属包括选自氧化锡锑(ATO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锆(IZrO)和ZnO,或它们的组合的组中的一种。
16.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中与所述碳纳米管的羧基(-COOH)结合良好的官能团层在所述透明基底和所述电极图案之间形成,所述官能团层包括选自氨基(-NH2)、醛基(-CHO)、羟基(-OH)、硫醇基(-SH)、和卤素基团,或它们的组合的组中的一种。
17.根据权利要求11所述的透明标志牌,进一步包含:
平行地独立于所述透明基底的辅助基底;和
填充于所述透明基底和所述辅助基底之间的填料层。
18.根据权利要求11所述的透明标志牌,其中透明粘合剂层形成于所述透明基底和所述电极图案之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓普纳诺斯株式会社,未经拓普纳诺斯株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880114883.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。