[发明专利]单晶制造装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 200880114957.1 申请日: 2008-12-01
公开(公告)号: CN101849043A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 阿部孝夫 申请(专利权)人: 信越半导体股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郭晓东;马少东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶制造装置,至少具备腔室、该腔室内的坩埚、配置在该坩埚的周围的加热器、拉起晶种的拉起机构、上述晶种和培育后的单晶的导通路,并通过上述加热器熔融已容置在上述坩埚内的多晶原料,且使上述晶种接触该熔融状态的多晶而拉起,由此制造单晶,其特征在于,

具备底部为曲面状的圆筒状石英管和圆顶状石英板;

上述石英管配置成由上述腔室的上部通过上述导通路,且上述曲面状的底部面临上述坩埚上面,并且上述石英板配置成包围石英管,

上述石英管的至少上述底部为反射热线的反射结构,而上述石英板是朝向上述坩埚而反射热线的反射结构。

2.如权利要求1所述的单晶制造装置,其特征在于,上述石英管及上述石英板的反射结构是经施行镀金、蒸镀金或涂覆金而成的。

3.如权利要求2所述的单晶制造装置,其特征在于,作为上述石英板的反射结构,在经施行镀金、蒸镀金或涂覆金而成时,是利用石英覆盖该镀金、蒸镀金或涂覆金而成的夹层结构。

4.如权利要求1至3中任一项所述的单晶制造装置,其特征在于,上述石英管在内部具备卤素灯,该卤素灯配置有用以加热上述多晶原料的聚光反射结构。

5.如权利要求4所述的单晶制造装置,其特征在于,上述卤素灯的聚光反射结构具备透镜。

6.如权利要求1至5中任一项所述的单晶制造装置,其特征在于,上述石英管及/或上述石英板具备用以除热的水冷机构及/或气冷机构。

7.如权利要求1至6中任一项所述的单晶制造装置,其特征在于,上述石英管能够上下移动。

8.一种单晶的制造方法,依照切克劳斯基单晶生长法,通过加热器加热容置在坩埚内的多晶原料而使其熔融,并使晶种接触该熔融液后而拉起,由此使单晶成长,其特征在于,

在加热熔融上述多晶原料时,配置石英管和包围上述石英管的圆顶状石英板,来加热、熔融上述多晶原料;该石英管的至少底部为用以反射热线的反射结构,且使该底部为曲面状的圆筒状石英管底部,由腔室上部通过导通路,而配置成面临该坩埚上面,并且该石英板作成朝向上述坩埚而反射热线的反射结构;

熔融后,将上述石英管取出至上述腔室外,随后,使上述晶种接触上述多晶原料熔融液而将上述单晶拉起,由此制造单晶。

9.如权利要求8所述的单晶的制造方法,其特征在于,上述石英管及上述石英板的反射结构是经施行镀金、蒸镀金或涂覆金而成的。

10.如权利要求9所述的单晶的制造方法,其特征在于,作为上述石英板的反射结构,在使用施行镀金、蒸镀金或涂覆金而成的结构时,使用以石英覆盖该镀金、蒸镀金或涂覆金而成的夹层结构。

11.如权利要求8至10中任一项所述的单晶的制造方法,其特征在于,上述石英管使用具备卤素灯的结构,该卤素灯配置有用以加热上述多晶原料的聚光反射结构。

12.如权利要求11所述的单晶的制造方法,其特征在于,上述卤素灯的聚光结构使用具备透镜的结构。

13.如权利要求8至12中任一项所述的单晶的制造方法,其特征在于,在加热上述多晶原料而使其熔融时,一边使上述石英管及/或上述石英板水冷及/或气冷,一边使该多晶原料熔融。

14.如权利要求8至13中任一项所述的单晶的制造方法,其特征在于,上述石英管使用通过上下移动来将热线的焦点对准上述多晶原料的结构。

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