[发明专利]切割/芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极构件的胶粘剂在切割前附着在工件(半导体晶片等)上的状态下供给工件切割的切割/芯片接合薄膜。

背景技术

形成有电路图案的半导体晶片(工件)，在根据需要通过背面研磨而调节厚度后，切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。在切割工序中，为了除去切割层，一般在适度的液压(通常约2kg/cm²)下清洗半导体晶片。然后，将前述半导体芯片利用胶粘剂固着到引线框等被粘物上(安装工序)后，移至接合工序。在所述安装工序中，将胶粘剂涂布到引线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化比较困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且还提供安装工序所需要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。

专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上可剥离地设置有胶粘剂层。即，在胶粘剂层的保持下切割半导体晶片后，拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收后通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。

对于此种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，希望具有对半导体晶片的良好保持力和能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性，以不产生不能切割或尺寸误差等问题。但是，使该两种特性平衡决不是件容易的事。特别是像用旋转圆刀等切割半导体晶片的方式等，要求胶粘剂层具有大的保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片接合薄膜。

因此，为了解决这样的问题，提出了各种改良法(例如，参考专利文献2)。在专利文献2中，提出了在支撑基材与胶粘剂层之间介有可紫外线固化的粘合剂层，将其切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离而容易地拾取半导体芯片的方法。

但是，即使通过该改良法，有时也难以得到使切割时的保持力与之后的剥离性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到10mm×10mm以上的大型半导体芯片时，由于其面积大，因此通过一般的芯片接合机不能容易地拾取半导体芯片。

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

专利文献2：日本特开平2-248064号公报

发明内容

本发明鉴于上述问题而进行，其目的在于提供具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下，将该薄型工件切割时的保持力与将通过切割得到的半导体芯片和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良。

本发明人为了解决上述现有问题，对切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，切割薄膜中所含的多官能单体成分物质扩散到芯片接合薄膜中，由此切割薄膜与芯片接合薄膜的交界面消失，由此拾取性下降，并且完成了本发明。

即，本发明的切割/芯片接合薄膜，为了解决上述问题，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。

本发明的切割薄膜中，由于使用丙烯酸酯作为主单体，因此可以实现剥离力的下降，结果，可以实现良好的拾取性。另外，通过将含羟基单体的含量设定为10摩尔％以上，抑制紫外线照射后的交联不足。结果，例如可以防止切割时对粘贴在粘合剂层上的切割环产生胶糊残留。另一方面，通过使所述含量为30摩尔％以下，可以防止紫外线照射交联过度进行而难以剥离从而使拾取性下降。

另外，本发明中，由于采用具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物代替多官能单体，因此不会发生该多官能单体在芯片接合薄膜中物质扩散的情况。结果，可以防止切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，可以实现更好的拾取性。

前述构成中，所述丙烯酸酯优选为CH₂＝CHCOOR(式中，R为碳原子数6～10的烷基)。使用CH₂＝CHCOOR作为丙烯酸酯时，通过使用式中的烷基R的碳原子数为6～10的范围内的丙烯酸酯，可以防止剥离力过大而使拾取性下降。