[发明专利]磁粉制造方法、磁片制造方法及天线模块制造方法无效

专利信息
申请号: 200880115241.3 申请日: 2008-11-10
公开(公告)号: CN101855174A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 秋保启 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: C01G49/00 分类号: C01G49/00;H01F1/36
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 方法 磁片 天线 模块
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种用在例如RFID(射频识别)系统的非接触数据通信中的磁粉的制造方法、一种磁片的制造方法及一种天线模块的制造方法。

背景技术

在RFID系统中,非接触型IC标签是众所周知的,在该非接触型IC标签中,IC芯片(具有记录在其上的信息)和共振电容器(resonance capacitor)被电连接至天线线圈。作为非接触型IC标签,还存在卡片类型及结合在便携式电话等中的类型。

作为被用于非接触型IC标签的相关技术的天线模块,存在这样一种天线模块,在该天线模块中,磁性组件(磁片)设置在平面型天线线圈中,该平面型天线线圈在平面内螺旋缠绕,从而磁性组件基本上平行于平面型天线线圈的平面。具有高磁导率的材料被用于在这种天线模块中所使用的磁片。通过这种磁片,平面型天线线圈的电感变大,通信距离变长。

用于磁片的磁性材料的实例包括具有主要组分为Fe的诸如Ni-Zn-基材料和Mn-Zn-基材料的铁氧体基磁性材料。例如,通过混合并煅烧诸如Fe2O3、NiO及ZnO的氧化物的原材料并在此后将它们粉碎成合适的尺寸,制备扁平的铁氧体粉末(例如,见专利文献1)。

使磁性颗粒变扁平的原因在于,当在RFID系统中使用由磁性材料所形成的磁性设备时,在将磁场施加至磁性材料时能够降低该材料中磁性颗粒的退磁,因此,能够改善磁导率(magneticpermeability)。

专利文献1:日本专利申请特开第2001-284118号(第[0035]~[0043]段,图2)

发明内容

发明所解决的问题

在专利文献1的制造方法中,在煅烧(900℃~1200℃)之后进行粉碎。在这种情况下,在粉碎过程中磁性材料损坏,从而降低了磁性材料的磁导率。磁导率的降低导致了天线线圈的电感系数(inductance)的降低以及天线的性能的劣化。

通常,为了改善磁性材料的磁导率,需要增大磁粉的颗粒尺寸,从而增加其磁性颗粒的粒度。但是,如果磁粉的颗粒尺寸增大变薄,块状氧化物基磁性材料中的粒度也增大,例如,则颗粒易于破裂。此外,在可用频率(f=13.56MHz)处的损耗变大。

鉴于如上所述的情况,本发明的一个目的在于提供一种磁粉制造方法、一种磁片制造方法及一种天线模块制造方法,它们能够减小磁性颗粒的尺寸、实现变薄和低损耗、并改善磁导率而不会降低磁导率。

用于解决该问题的方法

为了达到上述目的,根据本发明,提供了一种磁粉制造方法,该方法包括:将包括至少两种氧化物基磁性材料的磁性材料形成为片状;通过切割形成为片状的磁性材料以使得该磁性材料被粉碎成颗粒来形成磁性颗粒;以及煅烧该磁性颗粒。

通常,磁性材料的磁导率实际上由制造工艺中最后执行的煅烧步骤确定。在本发明中,通过分裂切割片状磁性材料,减小了磁性颗粒的尺寸并将磁性颗粒扁平,此后煅烧颗粒。结果,可以防止如专利文献1中的磁性材料在粉碎过程中被损坏因此降低磁导率的情况发生。

此外,通过将氧化物基磁性材料形成为片并对其进行切割使其被粉碎成颗粒,可以在煅烧前减小磁性材料的尺寸并使磁性材料变平。

在本发明中,磁粉制造方法进一步包括在磁性颗粒的形成与磁性颗粒的煅烧之间研磨磁性颗粒的步骤。在本发明中,通过切割形成为片状的磁性材料使其被粉碎成颗粒,将磁性颗粒的尺寸减小到一定程度,并且通过研磨能够实现另外的尺寸减小和变薄。结果,例如,在使用磁粉形成磁性设备的情况下,能够增大磁性设备的磁性颗粒的密度,并且能够实现高磁导率。

在本发明中,例如,通过滚磨执行磁性颗粒的研磨。

在本发明中,氧化物基磁性材料为包括Fe2O3的铁氧体基磁性材料,并且包括NiO、CuO、ZnO、MnO2、CoO及Sb2O3中的至少一种。

根据本发明,提供了一种磁片制造方法,该方法包括:将包括至少两种类型的氧化物基磁性材料的磁性材料形成片状;通过切割形成为片状的磁性材料以使得磁性材料被粉碎成颗粒来形成磁性颗粒;煅烧磁性颗粒;将经煅烧的磁性颗粒与树脂和橡胶中的至少之一进行混合;并且将所得混合物形成为片状。例如,该磁片典型地用在RFID系统的天线模块中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880115241.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top