[发明专利]量子阱混合

权利要求书

1.一种量子阱混合(QWI)方法，其包括：

提供包括上空间层和下空间层，以及至少一个设置在上外延层和下外延层之间的量子阱层的晶片，其中上外延层和下外延层各自包括阻挡层；

在上外延层之上施加至少一个牺牲层；

通过在牺牲层的一部分上施加QWI加强层从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中QWI加强层之下的部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域；

在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层；和

在足以使原子在至少一个量子阱层和上外延层与下外延层的阻挡层之间发生相互扩散的温度下进行退火。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片是渐变折射率分离限制异质接面结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个量子阱层包含InGaAs。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上外延层和下外延层包含Al_xGa_1-xAs。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上外延层和下外延层包括阻挡层、波导和覆盖层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，设置所述牺牲层从而防止在上外延层表面上形成缺陷。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在牺牲层之上施加一个或多个牺牲再生长层，所述牺牲再生长层可用作附加的加强层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，QWI加强层的溅射沉积在再生长牺牲层中产生原子空穴。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在施加牺牲再生长层之前，使牺牲层接触大气环境。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层和牺牲再生长层包含GaAs。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层和牺牲再生长层通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)施加。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述牺牲层厚度约为20纳米，所述牺牲再生长层厚度约为130纳米。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在退火步骤之后，对牺牲层以及牺牲层上的所有层进行蚀刻。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在施加QWI抑制层之前，对抑制区域的表面进行离子处理。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述QWI加强层包含WN。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过射频偏置溅射、磁控管溅射、活性偏置溅射或其组合施加QWI加强层。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括使用光刻法对QWI加强层进行图案化。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括对QWI加强层的一部分进行蚀刻。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述QWI抑制层包括氮化硅层和氧化硅层。

20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过(PECVD)等离子体增强的化学气相沉积施加QWI抑制层。

21.如权利要求1所述的方法，其特征在于，原子的相互扩散在QWI加强区域中产生最高约为100纳米的带隙迁移，在QWI抑制区域中基本没有产生带隙迁移。

22.DBR激光器，通过如权利要求1所述的方法形成。

23.如权利要求22所述的DBR激光器，其特征在于，QWI加强区域中的量子阱部分可用作DBR区段、相区段、透明窗口面或其组合，QWI抑制区域中的量子阱部分可用作增益区段。