[发明专利]碳薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200880115404.8 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101848861A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 新田祐树;中谷达行;冈本圭司 | 申请（专利权）人： | 东洋先进机床有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳薄膜，其特征在于：
包括：
碳相互键合的膜主体，以及
与构成所述膜主体的碳键合的氨基。
2.根据权利要求1所述的碳薄膜，其特征在于：
该碳薄膜进一步包括与构成所述膜主体的碳键合的羧基。
3.根据权利要求1所述的碳薄膜，其特征在于：
表面电位在-10mV以上。
4.根据权利要求1所述的碳薄膜，其特征在于：
氮与全部碳的比率在0.05以上。
5.根据权利要求1所述的碳薄膜，其特征在于：
所述膜主体含硅。
6.根据权利要求5所述的碳薄膜，其特征在于：
所述硅的含量在5％以下。
7.一种碳薄膜的制造方法，其特征在于：
包括：
工序(a)，在基材的表面上形成碳相互键合而成的膜主体；以及
工序(b)，用含氨的气体的等离子体照射所述膜主体，由此将氨基引入构成所述膜主体的碳中。
8.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(a)中，形成具有羧基的膜主体。
9.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，与氨基一起引入羧基。
10.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，在照射了惰性气体的等离子体以后，再照射氨的等离子体。
11.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，在照射了碳氢化合物的等离子体以后，再照射氨的等离子体。
12.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，使表面电位在-10mV以上。
13.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，使氮与全部碳的比率在0.05以上。
14.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
所述工序(b)包括照射氧的等离子体的工序。
15.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，照射惰性气体和氨的混合气体的等离子体。
16.根据权利要求7所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
在所述工序(b)中，照射碳氢化合物和氨的混合气体的等离子体。
17.根据权利要求16所述的碳薄膜的制造方法，其特征在于：
所述混合气体含氧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东洋先进机床有限公司，未经东洋先进机床有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880115404.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于从供氧管线移除粒状固体的湿式洗涤
- 下一篇：降低嗜酸性粒细胞水平的方法
