[发明专利]硫属化物膜及其制造方法

权利要求书

1.一种硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，其特征在于，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。

2.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其特征在于，所述融点下降材料含有选自由Si、Al、B、C构成的组中的一种或者两种以上。

3.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其特征在于，所述融点下降材料使所述硫属化合物的融点低于该硫属化合物的构成元素的挥发温度。

4.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其特征在于，所述硫属化合物含有选自由S、Se、Te构成的组中的一种或者两种以上。

5.根据权利要求4所述的硫属化物膜，其特征在于，所述硫属化合物含有30at％～60at％的Te、10at％～70at％的Ge、10at％～40at％的Sb、10at％～70at％的Se。

6.根据权利要求1所述的硫属化物膜，其特征在于，相对所述接触孔的开口宽度，所述接触孔的深度至少为两倍以上。

7.一种硫属化物膜的制造方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内，形成由硫属化合物组成的硫属化物膜，其特征在于，该制造方法具备：

将所述基板的温度保持在所述硫属化合物的构成元素不挥发的温度的同时，在所述接触孔内，通过溅射以及回流来埋入混合了融点下降材料的所述硫属化合物的工序。

8.根据权利要求7所述的硫属化物膜的制造方法，其特征在于，所述融点下降材料含有选自由Si、Al、B、C构成的组中的一种或者两种以上。

9.根据权利要求7所述的硫属化物膜的制造方法，其特征在于，在所述埋入硫属化合物的工序中，使所述基板的温度为300℃～400℃。