[发明专利]性能提高的光学镀膜半导体器件及相关生产方法

权利要求书

1.一种生产光学镀膜半导体器件的方法，包括

在半导体器件表面沉积第一层，第一层是低密度、低折射率材料；

在半导体器件已镀膜表面上沉积多层光学镀膜，多层光学镀膜包括由低密度、低折射率的材料和高密度、高折射率的材料构成的交替层；

选择性地烧蚀交替的多层光学镀膜的一部分，以露出低密度第一层的至少一部分；

选择性地烧蚀低密度材料的第一层的一部分，以露出半导体器件的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中使用电阻源蒸发方法涂敷至少一低密度、低折射率材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中使用传统的电子束沉积方法涂敷至少一低密度、低折射率材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中使用磁控溅射的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

5.如权利要求1所述的方法，其中使用离子束溅射的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中使用阴极弧沉积的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中使用离子辅助电子束沉积的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

8.如权利要求1所述的方法，其中使用离子电镀的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

9.如权利要求1所述的方法，其中使用物理烧蚀方法选择性地烧蚀多层光学镀膜。

10.如权利要求9所述的方法，其中物理烧蚀方法包括离子束研磨。

11.如权利要求1所述的方法，其中使用化学烧蚀方法选择性地烧蚀多层光学镀膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中化学烧蚀方法包括氢氟酸处理。

13.如权利要求1所述的方法，其中使用可控的化学蚀刻方法烧蚀第一层。

14.一种生产光学镀膜半导体器件的方法，包括

在半导体器件表面沉积第一层，第一层是低密度、低折射率材料；

在半导体器件已镀膜表面上沉积多层光学镀膜，多层光学镀膜包括由低密度、低折射率的材料和高密度、高折射率的材料构成的交替层；

使用物理烧蚀方法选择性地烧蚀交替的多层光学镀膜的一部分，以露出低密度第一层的至少一部分；和

使用可控的化学蚀刻方法选择性地烧蚀低密度材料的第一层的一部分，以露出半导体器件的至少一部分。

15.如权利要求14所述的方法，其中使用电阻源蒸发方法涂敷至少一低密度、低折射率材料。

16.如权利要求14所述的方法，其中使用传统的电子束沉积方法涂敷至少一低密度、低折射率材料。

17.如权利要求14所述的方法，其中使用磁控溅射的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

18.如权利要求14所述的方法，其中使用离子束溅射的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

19.如权利要求14所述的方法，其中使用阴极弧沉积的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

20.如权利要求14所述的方法，其中使用离子辅助电子束沉积的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

21.如权利要求14所述的方法，其中使用离子电镀的方法涂敷至少一高密度、高折射率材料。

22.如权利要求14所述的方法，其中物理烧蚀方法包括离子束研磨。

23.一种半导体器件，该半导体器件具有在其上选择性涂敷的光学镀膜，该半导体器件包括：

具有至少第一表面的至少一个半导体晶片；

涂敷在半导体晶片的至少第一表面上的第一层，第一层是低密度、低折射率的材料；

涂覆在由低密度、低折射率材料构成的第一层上的多层光学镀膜，该多层光学镀膜包含由低密度、低折射率材料和高密度、高折射率材料构成的交替层。

24.如权利要求23所述的器件，其中低密度、低折射率的材料包括二氧化硅。