[发明专利]氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管无效
| 申请号： | 200880116357.9 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101868857A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 长谷川彰;小广健司;福原升 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 熊玉兰;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体材料 制造 方法 电子 装置 场效应 晶体管 | ||
1.氧化物半导体材料，其含有Zn、Sn和O，不含有In，并且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体材料，其中，还含有掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的氧化物半导体材料，其中，掺杂剂是选自Al、Zr、Mo、Cr、W、Nb、Ti、Ga、Hf、Ni、Ag、V、Ta、Fe、Cu、Pt、Si和F中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物半导体材料，其中，氧化物半导体材料为非晶质。
5.电子装置，其具有由权利要求1～4中任一项所述的氧化物半导体材料形成的半导体层、和设置在该半导体层上的电极。
6.场效应晶体管，其具有由权利要求1～4中任一项所述的氧化物半导体材料形成的半导体层、
设置在上述半导体层上且相互隔开的源电极和漏电极、和
门电极，所述门电极设置在可在位于上述源电极和上述漏电极之间的上述半导体层的区域施加偏置电位的位置。
(7)氧化物半导体材料的制造方法，其包括工序(i)～(iv)：
(i)准备含有Zn、Sn和O的氧化物靶的工序、
(ii)在溅射室内配置衬底的工序、
(iii)在溅射室内配置上述氧化物靶的工序、
(iv)通过用稀有气体溅射配置在上述溅射室内的上述氧化物靶，将靶材料沉积在上述衬底上的工序，和
在上述溅射时，在与上述氧化物靶同时被溅射的位置进一步配置掺杂材料。
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