[发明专利]场发射背光单元、其阴极结构及制造方法有效
申请号: | 200880116469.4 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101868753A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 郑珍宇;宋润镐;金大俊 | 申请(专利权)人: | 韩国电子通信研究院 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 背光 单元 阴极 结构 制造 方法 | ||
1.一种场发射背光单元的阴极结构,包括:
多个数据电极,形成在阴极基板上并且彼此隔开;
绝缘层,形成在所述数据电极上并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域;
阴极电极,形成在所述绝缘层上并且通过所述暴露区域与所述数据电极电连接;以及
至少一个场发射器,形成在所述阴极电极上,
其中基于彼此电隔离的所述阴极电极限定阴极块,并且每个阴极块的亮度能够根据通过所述数据电极提供的电流来控制。
2.根据权利要求1所述的阴极结构,其中所述数据电极由透明导电材料形成。
3.根据权利要求2所述的阴极结构,其中所述透明导电材料是ITO、IZO、ITZO和CNT中的任何一种。
4.根据权利要求1所述的阴极结构,其中所述绝缘层上没有形成所述阴极电极的隔离区域形成为使相邻的阴极块彼此电隔离。
5.根据权利要求1所述的阴极结构,其中所述阴极电极由能够挡光的导电材料形成。
6.根据权利要求1所述的阴极结构,其中所述场发射器由碳纳米管、碳纳米纤维和含碳合成材料中的任何一种形成。
7.一种场发射背光单元的阴极结构的制造方法,包括:
通过透明基板上的块限定控制亮度的阴极块;
在各阴极块上形成彼此隔开的多个数据电极;
形成具有暴露区域的绝缘层,所述暴露区域暴露各阴极块上形成的数据电极的任何一个;
在所述绝缘层上形成彼此隔开的多个阴极电极,所述阴极电极的任何一个通过所述暴露区域与所述数据电极电连接;
除了所述绝缘层没有形成所述阴极电极的部分之外,给所述阴极电极涂覆发射器膏;以及
在所述基板的底表面上照射UV光,并且显影所述基板。
8.一种场发射背光单元,包括:
上基板和下基板,彼此隔开并彼此面对;
阳极电极和磷光体层,形成在所述上基板上;
金属栅极基板,设置在所述上基板和所述下基板之间,以诱导场发射器的电子发射,并且具有使发射的电子从其通过的开口;
多个数据电极,在所述下基板上彼此隔开;
绝缘层,形成在所述数据电极上,并且具有暴露预定的数据电极的暴露区域;
阴极电极,形成在所述绝缘层上,并且通过所述暴露区域与所述数据电极电连接;以及
至少一个场发射器,形成在所述阴极电极上,
其中基于彼此电隔离的所述阴极电极限定阴极块,并且所述阴极块的亮度能够根据通过所述数据电极提供的电流来控制。
9.根据权利要求8所述的场发射背光单元,还包括分别形成在所述下基板和所述金属栅极基板之间以及所述上基板和所述金属栅极基板之间的绝缘间隔物。
10.根据权利要求9所述的场发射背光单元,其中所述绝缘间隔物形成在所述暴露区域上。
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