[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及用多层光致抗蚀剂体系进行多重曝光的方法有效
申请号: | 200880116679.3 | 申请日: | 2008-11-11 |
公开(公告)号: | CN101861638A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 黄武松;陈光荣;P·R·瓦拉纳斯;李伟健 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;李颖 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 组合 以及 多层 体系 进行 多重 曝光 方法 | ||
1.一种正型光致抗蚀剂组合物,其包含:
包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物,
光酸产生剂,以及
溶剂,
所述聚合物具有实质上可溶于所述溶剂,但在加热该聚合物至约150℃或更高的温度后变为实质上不可溶于所述溶剂的性质。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述羟基结构部分选自由伯醇基团、仲醇基团和叔醇基团组成的组。
3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物的骨架不含不饱和碳-碳键。
4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含含有叔酯结构部分的重复单元。
5.如权利要求4所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述叔酯结构部分选自由甲基金刚烷的酯、乙基金刚烷的酯、甲基环戊烷的酯、乙基环戊烷的酯、甲基环己烷的酯、乙基环己烷的酯、甲基环庚烷的酯、乙基环庚烷的酯、甲基环辛烷的酯、乙基环辛烷的酯和叔丁基的酯组成的组。
6.如权利要求4所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含含有内酯结构部分的重复单元。
7.如权利要求6所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含含有选自由磺酰胺类、氟化磺酰胺类、氟代醇类、二羧酰亚胺类、N-羟基二羧酰亚胺类、酚、氨基以及亚氨基基团组成的组的结构部分的重复单元。
8.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物包含:
选自下组的重复单元:
9.如权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含选自下组的重复单元:
10.如权利要求9所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含选自下组的重复单元:
11.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物还包含选自下组的重复单元:
12.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物包含如下重复单元:
13.一种形成图案化结构的方法,该方法包括:
(a)在衬底(110)或形成在该衬底上的制作层(115)上散布光致抗蚀剂制剂,该光致抗蚀剂制剂含有溶剂、聚合物和光酸产生剂,所述聚合物具有实质上可溶于所述溶剂,但在加热该聚合物至约150℃或更高的温度后变为实质上不可溶于所述溶剂的性质,以及
除去所述溶剂以形成光致抗蚀剂层(120);
(b)将所述光致抗蚀剂层依图案暴露于光化辐射,以形成曝光光致抗蚀剂层;
(c)将所述曝光光致抗蚀剂层置于碱性水溶液中,以选择性地除去所述光致抗蚀剂层的暴露于所述光化辐射的区域,以形成图案化光致抗蚀剂层(120A);
(d)在约150℃或更高的温度加热所述图案化光致抗蚀剂层;
(e)在所述图案化光致抗蚀剂层(120A)以及所述衬底或所述制作层的未被所述图案化光致抗蚀剂层覆盖的区域(125)上形成非光致抗蚀剂层,该非光致抗蚀剂层包含第二聚合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造