[发明专利]基于写入频率将数据写入不同的存储设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器，更具体地涉及一种具有有限寿命的存储器。

背景技术

存储器是制约现代企业计算系统的性能的重要方面之一。制约存储器的一个方面是许多类型的存储器呈现出有限寿命的事实。例如，诸如闪存的非易失性存储器的寿命随着每次被擦除和重写而减少。经过长时间的使用以及数以千计的擦除和重写，这样的闪存会变得越来越不可靠。

一种用于减缓存储器寿命减少的通用的现有技术是均衡损耗(wear leveling)。均衡损耗使得存储设备内的块以粗略相等的次数被擦除和写入。这避免了一个块被频繁地使用、达到寿命末期而必须停止使用的情形。这样会减小整个设备的存储容量。尽管存储设备可以具有备用的块，但是这些备用的块会被用尽而使设备的存储容量降低，这会使得存储设备不可以使用。

存储器供应商通常会保证存储器一定百分比的预期寿命。例如，闪存供应商可以保证在100,000个编程和擦除周期(即，耐久性)之后，根据超出的错误校正要求(error correction requirement)，小于1％的块将不能使用。在这种情况下，错误校正要求可以被设置为校正闪存设备的每512字节的单比特错误。一些近来开发的设备具有更低的耐久性。这些设备需要更大的错误校正要求。

此外，存储器的块的寿命可以变化。因此，使用均衡多个程序擦除周期的损耗均衡，存储设备只在特定百分比(例如，1％)的块运作不良时才达到寿命末期。然而，包含在存储设备中的大多数块仍是可用的。

因此，我们需要解决与现有技术相关联的这些和/或其他的问题。

发明内容

本发明提供了一种用于基于写入频率将数据写入不同存储设备的系统、方法以及计算机程序产品。在操作中，确定写入数据的频率。此外，基于该频率从多个不同类型的存储设备中选择要写入数据的存储设备。

附图说明

图1示出了根据一个实施例的用于增加存储器的多个块的寿命的方法。

图2示出了根据另一实施例的用于增加存储器的多个块的寿命的技术。

图3示出了根据另一实施例的用于增加存储器的多个块的寿命的方法。

图4示出了根据一个实施例的用于基于写入频率将数据写入不同存储设备的方法。

图5示出了实施有前述各个实施例的各个体系结构和/或功能(functionality)的示例性系统。

具体实施方式

图1示出了根据一个实施例的用于增加存储器的多个块的寿命的方法100。如图所示，确定影响存储器的多个块的寿命的至少一个因子。参见操作102。另外，基于该至少一个因子选择多个块中要进行写入的块。参见操作104。

在本说明书的上下文中，存储器的寿命可以包括任意的持续时间，在该持续时间期间内，存储器呈现出任意期望的可用性的等级。例如，在各个实施例中，这种寿命可以包括，但不限于，期望的寿命、实际的寿命、估计的寿命等。此外，可用性的等级可以指任何与可用性有关的参数，例如仍能使用的组件(例如，块、单元等)的百分比、存储器或其组件的可靠性、和/或有关该问题的其他任何参数。

此外，在各个实施例中，存储器可以包括但不限于：机械存储设备(例如，磁盘驱动器等)、固态存储设备(例如，动态随机存取存储器(DRAM)、闪存等)、和/或其他的任何存储设备。在存储器包含闪存的情况下，该闪存可以包括但不限于：单层单元(SLC)设备、多层单元(MLC)设备、NOR闪存、NAND闪存、MLC NAND闪存、SLC NAND闪存等。在一个实施例中，非易失性存储设备可以包括每单元单比特的NOR闪存、每单元多比特的NOR闪存、每单元单比特的NAND闪存以及每单元多比特的NAND闪存中的至少一个。

此外，在本说明书的上下文中，因子可以包括能够直接或间接地影响存储器的块的寿命的任意因子。例如，在各个实施例中，因子可以包括但不限于：在涉及存储器的至少一个块的读取操作期间的错误(如，检测到的、被校正的等)数量、在涉及存储器的至少一个块的编程操作与读取操作之间的持续时间、对存储器的至少一个块进行擦除的次数、擦除存储器的至少一个块所需要的持续时间、对存储器的至少一个块进行编程所需要的持续时间、对存储器的至少一个块进行编程所需要的重试次数、存储器的至少一个块的页的插入读取(intervening read)的数量、存储器的相邻页、结构和组织中的插入读取的数量、和/或符合上述定义的其他任何因子。作为选择，可存储存储器的块的使用历史。在这种情况下，可以利用该使用历史来确定因子。