[发明专利]包含纳米线栅的低辐射率窗膜和涂层

权利要求书

1.一种用于降低窗对长波红外光的辐射率的装置，包括：

导电材料膜，以作为薄导电材料元件和空洞区的排列的图案形成，其中，

所述薄导电材料元件间隔一定距离，以使所述导电材料高度反射所述长波红外光，并高度透射可见光和近红外光。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图案包括栅格。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图案包括光栅。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述光栅被进一步配置为起偏光片作用。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述光栅被进一步配置为起液晶定向层作用。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述膜包括所述窗的窗玻璃表面上的涂层。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述薄导电材料元件的宽度等于或大于1纳米。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述薄导电材料元件之间的距离小于约20微米且大于约0.1微米。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电材料包括金属或金属氧化物线网。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述薄导电材料段包括伪随机分散的线段。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，

所述薄导电材料元件进一步包括导电氧化物条；以及

所述图案包括所述条在交替层中形成介电镜的排列。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述薄材料元件之间的距离不一致。

13.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：涂覆所述导电材料的电介质材料层，其中，所述薄电介质材料层对可见光、红外线、以及长波红外线(黑体)辐射中的每一个均是透明的。

14.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

涂覆所述导电材料的薄电介质材料层，其中，

所述薄电介质材料层对长波红外线(黑体)辐射是不透明的；以及

所述薄层的厚度显著小于所述电介质材料中的长波红外线(黑体)辐射的消光距离。

15.根据权利要求3所述的装置，进一步包括：

所述导电材料的第二膜，其中，

所述第二膜的图案包括第二光栅；以及

所述两个光栅垂直排列。

16.根据权利要求15所述的装置，进一步包括：

消偏光片，位于所述导电材料的所述两个膜之间，其中，

所述两个光栅对可见光、近红外线、和长波红外线(黑体)辐射进行偏振，以及

所述消偏光片使所述可见光和近红外线辐射的偏振向量旋转，而不影响所述长波红外线(黑体)辐射的偏振。

17.一种低辐射率窗，包括：

窗玻璃；以及

导电材料膜，以作为薄导电材料元件和空洞区的排列的图案形成，其中，

所述薄导电材料元件间隔一定距离，以使所述导电材料高度反射长波红外光，并高度透射可见光和近红外光。

18.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述图案包括栅格。

19.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述图案包括光栅。

20.根据权利要求19所述的低辐射率窗，其中，所述光栅被进一步配置为起偏光片作用。

21.根据权利要求19所述的低辐射率窗，其中，所述光栅被进一步配置为起液晶定向层作用。

22.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述膜包括所述窗的窗玻璃表面上的涂层。

23.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述薄导电材料元件的宽度等于或大于1纳米。

24.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述薄导电材料元件之间的距离小于约20微米且大于约0.1微米。

25.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述导电材料包括金属或金属氧化物线网。

26.根据权利要求17所述的低辐射率窗，其中，所述薄导电材料元件包括伪随机分散的线段。