[发明专利]树脂层压体、粘合片、使用了该粘合片的被粘物的加工方法、及其剥离装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂层压体、粘合片以及使用了该粘合片的被粘物的加工方法、和粘合片剥离装置，其中，所述树脂层压体通过从任意的一个方向加热而能从端部主动卷绕来形成筒状卷绕体，所述粘合片由树脂层压体形成、用于通过从任意一个方向加热而从端部主动卷绕形成筒状卷绕体而从作为被粘物的半导体晶圆剥离的半导体晶圆研磨(背面研磨：back grinding)等中。

背景技术

将硅、锗、镓-砷等作为材料的半导体晶圆以大直径的状态制造后，进行背面研磨以达到规定的厚度，进而根据需要通过实施背面处理(蚀刻、抛光等)、切断加工等来制造半导体芯片。近年来，对半导体材料的薄型化、轻量化的期望进一步提高，对半导体晶圆而言，产生减薄到厚度100μm或者其以下的必要，但这样的薄膜晶圆非常脆容易破裂。因此，在半导体晶圆加工时，采用如下所述的方法：使用暂时固定用粘合片保持半导体晶圆，实施应有的加工后，将暂时固定用粘合片从半导体晶圆剥离、回收。

这样的暂时固定用粘合片(以下有时称为“背面研磨带”)通常用能量射线固化型粘合剂层来构成，贴附于半导体晶圆上，在暂时固定了的半导体晶圆上实施研磨等的加工时，用于保护半导体晶圆表面以免受半导体晶圆的应力、研削水、研削屑(硅粉尘)。而且，半导体晶圆的研磨等的加工工序结束后，背面研磨带通过照射能量射线而使粘合剂层固化，粘合力降低，从而从半导体晶圆剥离。然而，背面研磨带即便通过照射能量射线而使粘合力降低，此外也通过大气压来对半导体晶圆表面进行密合。因此，为了剥离背面研磨带而需要揭下背面研磨带等操作，由于此时的应力等而存在半导体晶圆容易破损的问题。另外，通常的背面研磨带的剥离装置除了将被研磨处理的半导体晶圆、背面研磨带层压体(以下有时称为“已研磨晶圆”)固定于吸附台之外，将已装入剥离装置的剥离用胶带贴合在已研磨晶圆的背面研磨带面，成为通过剥离来除去背面研磨带的结构。

上述剥离带从已研磨晶圆的背面研磨带的端部向内部进行贴合，通过剥离剥离带，从而剥离不需要的背面研磨带。但是，对于适应圆周形状的半导体晶圆贴附有圆周形状的背面研磨带，不从端部露出矩形的剥离带而进行贴合是不可能的，实际上，虽说极其微小，但存在剥离带由背面研磨带露出的情况。此处，进行半导体晶圆的薄化时，则剥离带的露出面贴附于剥离装置等，在该状态下剥离剥离带时，则使每个半导体晶圆弯曲，存在会成为半导体晶圆破损的原因的情况。另外，如果不将剥离带贴合到端部，虽然能够避免上述的半导体晶圆破损，但此时，即便剥离剥离带，剥离应力也不能充分传递到背面研磨带上，存在除去背面研磨带会变得困难的情况。

日本特开2000-129223号公报中公开了由收缩性薄膜、刚性薄膜和能量射线固化型粘合剂层组成的半导体晶圆保护用粘合片。记载了根据该粘合片，照射活性能量射线使粘合剂层的粘接力降低，而且所用的方法是使收缩性薄膜收缩时，则粘合片变形，由于半导体晶圆与粘合剂层的接触面积减少，所以能够从半导体晶圆容易剥离粘合片。然而，本发明人选择任意材料进行研究同样的问题时，结果可知，由于收缩性薄膜的收缩由多个方向产生等原因，所以加热后的粘合片在半导体晶圆表面产生重叠等，能发生剥离困难、被粘物破坏的情况。即，对于在背面研磨半导体晶圆时保护半导体晶圆免受破损等的、背面研磨结束后不需要的背面研磨带而言，现状是尚未发现不会使半导体晶圆破损和污染而能够剥离的背面研磨带、以及不会使半导体晶圆破损和污染而进行剥离背面研磨带的剥离装置。

专利文献1：日本特开2000-129223号公报

发明内容

发明要解决的问题

为了解决上述课题，本发明人等考虑了添加易剥离性功能的粘合片是必要的。用手工操作进行从被粘物剥离粘合片的操作时，首先制作剥离开端，用于在被粘物端部抓起胶带，然后牵拉胶带使其剥离。然而，多数情况是在脆弱的被粘物中不会像抓起胶带那样，而是以擦蹭胶带的状态，即通过尽量增大剥离角度、作用极小的剥离应力而避免破损被粘物来制作剥离开端。然后也通过以维持尽量大的剥离角度的状态剥离带，从而可以从脆弱的被粘物剥离粘合片。

因此，本发明人等认为，受到热等的刺激而赋予易剥离性时，作为胶带剥离时的形状，如果能使其恰如卷绕绒毯那样的变形(以下有时称为“筒状卷绕体”)，则可以成为与目标一致的粘合带。这是因为引起这种变形的同时进行剥离的情况是通过尽量大地保持在剥离中的剥离角度，而对于被粘物则成为尽量小的剥离应力。即，是指可将破损脆弱的被粘物的可能性达到极小。