[发明专利]用于功率器件的超结结构及制造方法

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

有源区域和包围所述有源区域的终端区域；以及

在所述有源区域和所述终端区域的每一个中交替布置的第一和第二导电类型的多个导柱，其中，所述有源区域和所述终端区域中的第一导电类型的所述导柱具有基本上相同的宽度，而所述有源区域中的第二导电类型的所述导柱具有比所述终端区域中的第二导电类型的所述导柱更小的宽度，使得所述有源区域和所述终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致所述终端区域中的击穿电压比所述有源区域中的击穿电压更高。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一导电类型是P型，而所述第二导电类型是N型。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一导电类型是N型，而所述第二导电类型是P型。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其中，第一导电类型的每一个导柱包括用P型硅基本上填充的沟槽，所述沟槽通过形成第二导电类型的所述导柱的N型区域而彼此隔开。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域中的第一导电类型的所述导柱具有与所述终端区域中的第一导电类型的所述导柱基本上相同的掺杂分布。

6.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域包括在所述有源区域中的第二导电类型的至少一个所述导柱上方延伸的平面栅极结构。

7.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域包括在所述有源区域中的第二导电类型的至少一个所述导柱内延伸至预定深度的沟槽栅极结构。

8.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域不包括在所述有源区域中的第二导电类型的任何所述导柱上方延伸的栅极结构。

9.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域中的第一导电类型的所述导柱是条形的，而所述终端区域中的第一导电类型的多个导柱以同心方式包围所述有源区域。

10.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述有源区域和所述终端区域中的第一导电类型的多个导柱是同心的。

11.根据权利要求1所述的功率器件，其中，第一导电类型的多个导柱具有是有源导柱的延伸部的终端导柱，而另外多个终端导柱平行于所述有源区域。

12.一种功率器件，包括：

有源区域、过渡区域、和包围所述有源区域与所述过渡区域的终端区域；以及

在所述有源区域和所述终端区域的每一个中交替布置的第一和第二导电类型的多个导柱，所述过渡区域在所述有源区域和所述终端区域之间具有第一导电类型的至少一个导柱和第二导电类型的至少一个导柱，所述有源区域中的第一导电类型的多个导柱连接至源极端子，所述终端区域中的第一导电类型的多个导柱浮动，并且，所述过渡区域中的第一导电类型的至少一个导柱通过第一导电的桥接扩散连接至所述源极端子，所述第一导电的桥接扩散将所述过渡区域中的第一导电类型的至少一个导柱连接至所述有源区域中的第一导电类型的多个导柱中的一个，其中：

所述桥接扩散穿过第二导电类型的至少一个导柱的宽度延伸，

所述有源区域和所述终端区域中的第一导电类型的所述导柱以及所述过渡区域中的第一导电类型的至少一个导柱都具有基本上相同的宽度，并且，

所述有源区域中的第二导电类型的所述导柱具有比所述过渡区域中的第二导电类型的至少一个导柱的宽度更小的宽度，使得所述有源区域和所述过渡区域的每一个中的电荷平衡状态导致所述过渡区域中的击穿电压比所述有源区域中的击穿电压更高。

13.根据权利要求12所述的功率器件，其中，所述有源区域中的第二导电类型的所述导柱具有比所述终端区域中的第二导电类型的多个导柱的宽度更小的宽度，使得所述有源区域和所述终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致所述终端区域中的击穿电压比所述有源区域中的击穿电压更高。

14.根据权利要求12所述的功率器件，其中，所述有源区域包括第一导电类型的本体区域、和在所述本体区域中的第二导电类型的源极区域，其中，所述桥接扩散比所述本体区域延伸更深。

15.根据权利要求14所述的功率器件，其中，所述桥接扩散和所述本体区域具有基本上相似的掺杂浓度。