[发明专利]弹性波装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种弹性波装置，详细而言涉及弹性波装置的保护膜。

背景技术

以往，在半导体和弹性表面波装置等弹性波装置中，设置用于防止由湿气所引起的电极等之腐蚀的保护膜。

例如，在图7所示的弹性表面波装置中，公开了在底板(ベ一スプレ一ト)103上所搭载的基板101由保护膜108覆盖的结构。详细而言，在基板101形成有IDT电极等导电结构(未图示)。基板101上的导电结构由保护层108密封。基板101经由突起(バンプ)105与底板103的导体路径(導体路)104电连接。在基板101和底板103之间配置绝缘层106，在基板101和底板103的连接范围由树脂等形成包围框107(例如参照专利文献1)。

在保护膜中，使用例如氮化硅膜。通常，所谓氮化硅膜是指与化学计量比Si₃N₄所对应而使Si和N的组成比为3∶4的膜，以SiN_x来表示时，X＝4/3＝1.33。

专利文献1：JP特表平11-510666号公报

但是，由于保护膜自身的因湿气所引起的氧化、吸湿，就使防止湿气进入的功能恶化。

尤其，在由微量的水分引起电极腐蚀和材料常数变化的弹性表面波装置中，虽然能够通过保护膜将IDT电极的腐蚀以某程度抑制，但是在保护膜中也有SAW能量分布，因此由于保护膜自身的因湿气所引起的材料常数之变化而使保护膜的声速变化从而特性恶化的问题就出现。

发明内容

本发明鉴于这些实情而作成的，提供一种能够使特性稳定的且具备保护膜的弹性波装置。

本发明为了解决上述问题，提供以下构成的弹性波装置。

弹性波装置具备：(a)在基板上形成有IDT电极的弹性波元件；(b)按照覆盖所述弹性波元件的方式形成的保护膜。所述保护膜是以硅和氮为主要成分的氮化硅膜，在将所述硅和所述氮的组成比以1∶X来表示时，所述X为1.15以下。

在上述结构中，弹性波元件是利用表面波(SAW)、边界波(境界波)等弹性波的元件。弹性波装置至少具备一个弹性波元件即可，也可以是在共用基板上具备了多个弹性波元件的装置或被小型化为晶片尺寸封装(CSP)的装置。

根据上述结构，保护膜的氮化硅膜以SiN_x来表示时X≤1.15，若与的通常氮化硅膜相比则硅的比率为相对大、氮的比率为相对小。使用这种富硅(シリコンリツチ)氮化硅膜时能够减小由湿度负载所引起的弹性波装置之特性恶化。

保护膜可以采用以下的各种情形。

一种情形是在所述弹性波元件中还具备：在含有所述IDT电极的所述基板上所形成的SiO₂膜。所述保护膜从所述SiO₂膜的上被形成。

另一种情形是在所述弹性波元件中还具备：按照在所述IDT电极上形成空间的方式设置在所述基板上的保护片材(カバ一シ一ト)。所述保护膜从所述保护片材上被形成。

其他的一种情形是所述弹性波元件中还具备：搭载多个所述弹性波元件的共用基板。所述保护膜按照覆盖所述共用基板上所搭载的多个所述弹性波元件的方式形成。

优选所述X超过1.00。

此时，以SiN_X来表示保护膜的氮化硅膜时，1.00＜X≤1.15。若X＞1.00，则弹性波装置的初始特性之离散(ばらつき)小于在X≤1.00的情况下的离散。

优选所述X不足1.00。

此时，以SiN_X来表示保护膜的氮化硅膜时，X＜1.00。若X＜1.00，则由湿度负载所引起的弹性波装置的频率特性之变动量小于在X≥1.00的情况下的变动量。

优选所述X不足0.60。

此时，由湿度负载所引起的频率特性之变动量和其标准偏差σ都成为优选状态。

更优选所述X超过0.2。

此时，以SiN_x来表示保护膜的氮化硅膜时，X＞0.2。若X＞0.2，则能够简单地形成保护膜的氮化硅膜。

优选所述X不足0.60且超过0.2。

此时，综合考虑由湿度负载所引起的频率特性之变动量、其变动量之标准偏差σ、初始特性的测量值之标准偏差，对于某种用途而言，成为优选状态。

优选所述X为0。

此时，能够使由湿度负载所引起的频率特性之变动量最小。

根据本发明，通过将保护膜所使用的氮化硅膜采用富硅氮化硅膜，从而能够防止保护膜的功能降低且使弹性波装置的特性稳定。

附图说明

图1是弹性波装置的剖面图。(实施例1)