[发明专利]用于纳米刻印光刻的多孔模板和刻印层叠物

权利要求书

1.一种刻印光刻模板，该模板包含多孔材料，所述多孔材料限定出大量平均孔径至少约为0.4纳米的孔，所述多孔材料的孔隙率至少约为10％。

2.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述平均孔径至少约为0.5nm。

3.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述平均孔径至少约为1.0nm。

4.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的孔隙率至少约为20％。

5.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料是有机硅酸盐低k材料。

6.如权利要求5所述的模板，其特征在于，所述多孔材料相对于熔凝硅石的相对孔隙率至少约为20％。

7.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为2GPa。

8.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为5GPa。

9.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为10GPa。

10.如权利要求1所述的模板，其特征在于，所述多孔材料设置在基底层和覆盖层之间。

11.如权利要求10所述的模板，其特征在于，所述基底层包含熔凝硅石。

12.如权利要求10所述的模板，其特征在于，所述基底层包括凹槽，所述多孔材料设置在凹槽内。

13.如权利要求10所述的模板，其特征在于，所述覆盖层包含SiO_x，其中1≤x≤2。

14.如权利要求10所述的模板，其特征在于，所述覆盖层的厚度约小于100nm。

15.如权利要求14所述的模板，其特征在于，所述覆盖层的厚度约小于50nm。

16.如权利要求15所述的模板，其特征在于，所述覆盖层的厚度约小于20nm。

17.如权利要求10所述的模板，所述模板还包括从覆盖层伸出的凸起件。

18.一种刻印光刻刻印层叠物，该层叠物包含多孔材料，所述多孔材料限定出大量平均孔径至少约为0.4纳米的孔，所述多孔材料的孔隙率至少约为10％。

19.如权利要求18所述的刻印层叠物，其特征在于，所述平均孔径至少约为0.5nm。

20.如权利要求18所述的刻印层叠物，其特征在于，所述平均孔径至少约为1.0nm。

21.如权利要求18所述的刻印层叠物，其特征在于，所述多孔材料的孔隙率至少约为20％。

22.如权利要求18所述的模板，其特征在于，所述多孔材料是有机硅酸盐低k材料。

23.如权利要求22所述的模板，其特征在于，所述多孔材料相对于熔凝硅石的相对孔隙率至少约为20％。

24.如权利要求18所述的刻印层叠物，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为2GPa。

25.如权利要求18所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为5GPa。

26.如权利要求18所述的模板，其特征在于，所述多孔材料的杨氏模量至少约为10GPa。

27.如权利要求18所述的模板，其特征在于，所述多孔材料设置在基片和覆盖层之间。

28.一种用来形成刻印光刻模板的方法，所述方法包括：

在基底层上形成多孔层；所述多孔层限定出大量平均孔径至少约为0.4纳米的孔，所述多孔层的孔隙率至少约为10％，以及

在所述多孔层上形成覆盖层。

29.一种用来形成刻印光刻模板的方法，所述方法包括：

在基底层中形成大量凹槽；

在凹槽中沉积多孔材料，所述多孔材料限定出大量平均孔径至少约为0.4纳米的孔，所述多孔材料的孔隙率至少约为10％，以及

在所述基底层上形成覆盖层。