[发明专利]具有过电流检测功能的调光器电路

权利要求书

1.一种在用于控制负载功率的调光器电路中的过电流状态检测方法，所述调光器电路包含有第一开关装置和第二开关装置，所述第一开关装置用于控制在第一极性的负载的功率，该第一开关装置设有第一反并联二极管；所述第二开关装置用于控制在第二极性的负载的功率，该第二开关装置设有第二反并联二极管，所述检测方法包含：

从所述第一或第二反并联二极管中选择其中一个与所述第一开关装置或第二开关装置中非控制的一个开关装置关联的反并联二极管，检测其两端的电压降；

将所述检测到的电压降与参考电压进行比较；

当所述检测到的电压降超过所述参考电压时，判定有过电流状态。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述第一开关装置和第二开关装置是MOSFET。

3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述第一反并联二极管和第二反并联二极管是内置二极管。

4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一开关装置和第二开关装置是IGBT。

5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述第一反并联二极管和第二反并联二极管是被共同封装的。

6.如权利要求1至5任一项所述的检测方法，其特征在于，其进一步包含：触发锁存电路以移除第一开关装置和/或第二开关装置的栅极驱动，从而阻止或减少过电流状态引起的损害。

7.一种在用于控制负载功率的调光器电路中的过电流状态检测电路，所述调光器电路包括有第一开关装置和第二开关装置，所述第一开关装置用于控制在第一极性的负载的功率，该第一开关装置设有第一反并联二极管；所述第二开关装置用于控制在第二极性的负载的功率，该第二开关装置设有第二反并联二极管，所述检测电路包含：

用于将信号应用于比较器的装置，所述信号代表所述第一或第二反并联二极管中与所述第一开关装置或第二开关装置中非控制的一个开关装置有关联的一个反并联二极管两端的电压降；

用于将所述信号与参考电压进行比较的比较器。

8.如权利要求7所述的检测电路，其特征在于，所述比较器是三极管。

9.一种用于控制负载功率的调光器电路，其包含：

第一开关装置，用于控制在第一极性的负载的功率，该第一开关装置设有第一反并联二极管；

第二开关装置，用于控制在第二极性的负载的功率，该第二开关装置设有第二反并联二极管；

检测电路，其包含：

用于将信号应用于比较器的装置，所述信号代表所述第一或第二反并联二极管中与所述第一开关装置或第二开关装置中非控制的一个开关装置有关联的一个反并联二极管两端的电压降；

用于将所述信号与参考电压进行比较的比较器；

当所述信号大于所述参考电压时将负载与电源断开的装置。

10.如权利要求9中所述的调光器电路，其特征在于，所述第一开关装置和第二开关装置是MOSFET。

11.如权利要求10中所述的调光器电路，其特征在于，所述第一反并联二极管和第二反并联二极管是内置二极管。

12.如权利要求9中所述的调光器电路，其特征在于，所述第一开关装置和第二开关装置是IGBT。

13.如权利要求12所述的调光器电路，其特征在于，所述第一反并联二极管和第二反并联二极管是共同封装的。

14.如权利要求9至13任一项所述的调光器电路，其特征在于，所述用于断开的装置是锁存器。