[发明专利]控制对含钨层的蚀刻微负载的方法

权利要求书

1.一种通过具有宽特征和窄特征的掩模蚀刻含钨层的方法，包括

(a)提供包括钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体混合物，其产生非共形沉积物；

(b)由该蚀刻气体混合物形成等离子；以及

(c)使用由该蚀刻气体混合物形成的等离子蚀刻该含钨层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该沉积成分有选择地在宽特征的底部上比在窄特征的底部上沉积更多，其降低微负载。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该沉积成分有选择地在该特征的侧壁上比在该特征的底部中沉积更少。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该沉积成分包括含硅成分和含氧成分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该含硅成分是有机硅氧烷。

6.根据权利要求4所述的方法，其中该含硅成分是有机硅。

7.根据权利要求4所述的方法，其中该含硅成分是硅烷基。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该含硅成分是卤化硅烷。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该卤化硅烷是SiCl₄。

10.根据权利要求4所述的方法，其中该含氧成分是氧气(O₂)。

11.根据权利要求1所述的方法，其中该沉积成分沉积在该掩模的顶部上以减少钨蚀刻步骤期间的掩模蚀刻速率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该掩模是硬掩模。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该掩模是SiO₂、Si₃N₄或SiON。

14.根据权利要求4所述的方法，其中当蚀刻该含钨层时，在单个步骤中提供该蚀刻成分和该沉积成分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中当蚀刻该含钨层时，在单个步骤中提供该蚀刻成分和该沉积成分直到完全蚀刻该含钨层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中该蚀刻成分受限扩散进窄特征。

17.根据权利要求4所述的方法，其中该沉积成分受限扩散进窄特征。

18.一种通过具有宽特征和窄特征的掩模蚀刻含钨层的方法，包括：

(a)提供包括钨蚀刻成分和沉积成分的蚀刻气体混合物，其中该沉积成分包括含硅成分和含氧成分，

(b)由该蚀刻气体混合物形成等离子；和

(c)使用由该蚀刻气体混合物形成的等离子蚀刻该含钨层，其中

该沉积成分在宽特征的底部比在窄特征的底部沉积更多，以及

该沉积成分选择性地在该特征的侧壁上比在特征底部上沉积更少。

19.根据权利要求18所述的方法，其中该沉积成分的含硅成分是SiCl₄，该沉积成分的含氧成分是O₂。

20.一种通过具有宽特征和窄特征的掩模蚀刻含钨层的设备，包括：

等离子反应器，包括：

等离子处理室；

邻近RF-透明窗的TCP线圈，其用以提供功率以维持等离子；

TCP功率供应源，其电气连接到该TCP线圈；

卡盘电极，其用于在该等离子处理室内支持半导体基片；

压强控制阀门和泵，用于调节该等离子处理室中的压强；

气体源，包括钨蚀刻气体源和沉积气体源；和

控制器，以可控方式连接到该气体源和该TCP线圈，包括：

至少一个处理器；和

计算机可读介质，包括：

用于蚀刻含钨层的计算机可读代码，包括：

用于将蚀刻气体混合物提供到该等离子处理室的计算机可读代码，包括：

从蚀刻气体源提供蚀刻气体；和

从沉积气体源提供沉积气体；和

用于将该蚀刻气体混合物转换为等离子的计算机可读代码；和

用于停止该蚀刻气体混合气体流的计算机可读代码。

21.根据权利要求1所述的方法，其中该沉积成分选择性地在该特征的侧壁上比在特征底部上沉积更少。