[发明专利]半导体装置和多层配线基板

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：多层配线基板，含有相互层叠的、大致平板状的至少三层绝缘层；和安装在所述多层配线基板的一侧主面上的半导体元件，其特征在于，

所述多层配线基板还具有由热传导性比所述绝缘层低的材料构成的绝热部件，所述绝热部件设置在所述绝缘层的层间的至少一处，或者设置在所述绝缘层中至少一层绝缘层的一部分上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多层配线基板包括：由所述绝缘层中的一层所构成的芯基板；层叠于所述芯基板的一侧主面上的至少一层绝缘层；和层叠于所述芯基板的另一侧主面上的至少一层绝缘层。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件是设置在所述绝缘层的层间的至少一处的、大致平板上的绝热层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热层为一个，其设置在作为所述芯基板的第一绝缘层和所述半导体元件安装侧的最外的第二绝缘层之间。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述绝热层中设有连接所述绝热层两个主面的导通部，且

该导通部通过层间电极与分别设置在相邻的所述绝缘层中的导通部电连接。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件设置在除最外两层绝缘层之外的所述绝缘层中的至少一层的靠近所述半导体元件安装位置的部位。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件设置在第三绝缘层中，所述第三绝缘层位于作为所述芯基板的第一绝缘层和所述半导体元件安装侧的最外的第二绝缘层之间，且

所述绝热部件通过在形成于所述第三绝缘层中与所述半导体元件相对的部位的第一开口部中填充所述热传导性低的材料而构成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件设置在所述第一绝缘层中，且

所述绝热部件通过在形成于所述第一绝缘层的与所述半导体元件相对的部位的第二开口部中填充所述热传导性低的材料而构成。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件设置在第三绝缘层中，所述第三绝缘层位于作为所述芯基板的第一绝缘层和所述半导体元件安装侧的最外的第二绝缘层之间，且

所述绝热部件通过在形成于所述第三绝缘层中靠近所述半导体元件的安装位置的部位的多个第一导通孔中填充所述热传导性低的材料而构成。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述绝热部件设置在所述第一绝缘层中，且

所述绝热部件通过在形成于所述第一绝缘层的与所述半导体元件的安装位置相对的部位的多个第二导通孔中填充所述热传导性低的材料而构成。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，比所述绝缘层热传导性低的材料是在绝缘性树脂中混入无机发泡体的材料。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述无机发泡体是从多孔质二氧化硅、发泡玻璃、二氧化硅中空球、玻璃微球、西拉斯中空球、和石英微球体这些材料中选出的至少一种。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述无机发泡体是陶瓷中空粒子。

14.一种多层配线基板，该多层配线基板含有相互层叠的、大致平板状的至少三层绝缘层，且在一侧的主面上形成有与半导体元件连接的配线，其特征在于，

所述多层配线基板还具有由热传导性比所述绝缘层低的材料构成的绝热部件，所述绝热部件设置在所述绝缘层的层间的至少一处，或者设置在所述绝缘层中至少一层绝缘层的一部分上。

15.如权利要求14所述的多层配线基板，其特征在于，所述多层配线基板包括：由所述绝缘层中的一层所构成的芯基板；层叠于所述芯基板的一侧主面上的至少一层绝缘层；和层叠于所述芯基板的另一侧主面上的至少一层绝缘层。

16.如权利要求15所述的多层配线基板，其特征在于，所述绝热部件是设置在所述绝缘层的层间的至少一处的、大致平板状的绝热层。

17.如权利要求15所述的多层配线基板，其特征在于，所述绝热部件设置在除了最外两层绝缘层之外的所述绝缘层中的至少一层的靠近所述半导体元件安装位置的部位。