[发明专利]等离子体显示面板无效
申请号: | 200880117871.4 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101874282A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 吴在永;禹智元 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J11/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 潘士霖;李春晖 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 | ||
技术领域
示例性实施例涉及一种等离子体显示面板。
背景技术
等离子体显示面板包括荧光体层和多个电极,该荧光体层在被障壁(barrier rib)分隔的放电单元的内部。
当驱动信号被施加于等离子体显示面板的电极时,在放电单元的内部发生放电。换句话说,当通过将驱动信号施加到放电单元而对等离子体显示面板进行放电时,填充在放电单元中的放电气体生成真空紫外线,从而导致被定位在障壁之间的荧光体发射光,因此产生可见光。由于该可见光,图像被显示在等离子体显示面板的屏幕上。
发明内容
技术方案
在一个方面中,等离子体显示面板包括:前基板、与前基板相对定位的后基板、以及被定位在前基板与后基板之间以分隔放电单元的障壁,该障壁包括彼此交叉的横向障壁和纵向障壁,其中凹部被定位为在横向障壁和纵向障壁的屏障交叉部处彼此隔开。
附图说明
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解,并且被结合及组成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施例,并与说明一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据示例性实施例的等离子体显示面板的透视图;
图2示出在其中横向障壁的高度小于纵向障壁的高度的等离子体显示面板的结构;
图3至12是用于解释有源区以及虚拟区中的障壁之间的所有交叉部处的突出部的产生原因的图;
图13是用于解释虚拟区中的障壁的末端处的突出部的产生原因的图;以及
图14至17示出用于在障壁上形成凹部以降低等离子体显示面板的噪声的方法。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施例,其实例在附图中示出。
图1是根据示例性实施例的等离子体显示面板的透视图,如图1所示,等离子体显示面板包括前面板110和后面板120。
前面板110包括前基板111、扫描电极112、维持电极113、上电介质层114和保护层115。
扫描电极112和维持电极113彼此平行地形成在前基板111上。扫描电极112包括透明电极112a和总线电极112b,维持电极113包括透明电极113a和总线电极113b。透明电极112a和113a由铟锡氧化物(ITO)形成,并通过驱动电压的供给来扩散放电。总线电极112b和113b由容易成型的具有良好电导率的金属材料(例如,银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)和铝(Al))形成。扫描电极112和维持电极113可以是总线电极,其中透明电极被省略。
上电介质层114覆盖扫描电极112和维持电极113,以提供在扫描电极112和维持电极113之间的电绝缘。保护层115在上电介质层114上由氧化镁(MgO)形成。保护层115发射次级电子,以利于放电的发生。进一步地,保护层115保护扫描电极112、维持电极113和上电介质层114不受正离子的喷溅。
后面板120包括后基板121、障壁122、寻址电极123、荧光体层124和下电介质层125。
寻址电极123形成在后基板121上,以与扫描电极112和维持电极113交叉。下电介质层125形成在寻址电极123上,以提供寻址电极113之间的电绝缘。
障壁122形成在下电介质层125上,以分隔放电单元。例如,分别发射红光、蓝光和绿光的第一放电单元、第二放电单元和第三放电单元可以形成在前基板111和后基板121之间。放电单元形成在扫描电极112、维持电极113和寻址电极123的交叉部中的每一个处。放电单元的平面形状可以是如图1所示的矩形。
荧光体层124形成在由障壁122分隔的放电单元的内部,以在寻址放电期间发射用于图像显示的可见光。
图2示出在其中横向障壁122h的高度小于纵向障壁122l的高度的等离子体显示面板的结构。在图2中,横向障壁122h被限定为分隔涂覆有相同材料的荧光体的放电单元的障壁。
如图2所示,因为分隔涂覆有相同材料的荧光体的放电单元的横向障壁122h的高度小于纵向障壁122l的高度,所以在涂覆有相同材料的荧光体的放电单元之间形成了能够被用作气体通路的通道。因此,排气特性可以被改善。
用于形成障壁122的图案的方法包括喷砂方法、蚀刻方法和光敏胶方法。
喷砂方法在屏障(barrier)图案的精度上是有利的,但是在工作之后所产生的材料损耗和废弃材料上是不利的。因此,蚀刻方法和光敏胶方法现在已经被用在大多数工业中。蚀刻方法和光敏胶方法在分辨率以及处理时间的缩短上是有利的。
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