[发明专利]光记录方法和光记录装置有效
申请号: | 200880117882.2 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101874267A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 岸上智 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11B7/0045 | 分类号: | G11B7/0045;G11B7/125 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;吕俊刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 方法 装置 | ||
1.一种光记录方法,该光记录方法按照由多个参数构成的与记录数据长度对应的写策略,在光记录介质上照射激光,由此在光记录介质中记录信息,其特征在于,
通过交替重复进行信息记录的记录期间和中断记录的中断期间来记录信息,
所述光记录方法具有:
在所述中断期间中,再现在前一记录期间中记录的信息,根据再现信号的质量来校正写策略参数的写策略校正步骤;以及
使用在所述写策略校正步骤中校正后的写策略参数来进行下一记录期间中的上述记录的步骤,
所述写策略校正步骤包含:
质量测定步骤,在该步骤中,测定之前刚刚记录的信号的质量;以及
写策略变更步骤,在该步骤中,根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号的质量来变更写策略,
在一次的所述中断期间中,所述写策略校正步骤中的写策略变更仅进行一次。
2.根据权利要求1所述的光记录方法,其特征在于,
所述光记录方法还具有:
将从外部供给的信息写入缓存器后,从该缓存器中读出该信息并记录在所述光存储介质中的步骤;
根据所述缓存器内的数据量来控制所述记录期间的开始和所述中断期间的开始的步骤;以及
在所述中断期间中检测是否是校正时机的校正时机检测步骤,
以在所述校正时机检测步骤中检测为是所述校正时机为条件,进行所述中断期间中的所述写策略校正步骤的处理。
3.根据权利要求1所述的光记录方法,其特征在于,
所述光记录方法还具有校正时机检测步骤,在该步骤中,检测是否是校正时机,
所述光记录方法还具有中断期间开始步骤,在该步骤中,以在所述校正时机检测步骤中检测为是校正时机为条件,中断所述记录,开始所述中断期间,
在通过所述中断期间开始步骤而开始的中断期间中,进行所述写策略校正步骤的处理。
4.根据权利要求2或3所述的光记录方法,其特征在于,
在所述校正时机检测步骤中,在针对所述光记录介质的记录开始后经过了规定的设定校正间隔时,或者最近一次的所述写策略校正步骤的处理实施后经过了规定的设定校正间隔时,检测为是所述校正时机。
5.根据权利要求4所述的光记录方法,其特征在于,
通过在所述记录介质中记录的信息量来指定所述设定校正间隔。
6.根据权利要求4所述的光记录方法,其特征在于,
通过所述记录介质上进行记录的部分的半径方向的位移量来确定所述设定校正间隔。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的光记录方法,其特征在于,
在所述写策略校正步骤中,在一次的所述中断期间中,写策略参数仅变更一级。
8.根据权利要求3所述的光记录方法,其特征在于,
所述光记录方法具有:
在所述写策略变更步骤中变更了写策略参数的情况下,使用变更后的写策略参数对数据进行试记录的试记录步骤;
测定在所述试记录步骤中所试记录的信号的质量的试记录质量测定步骤;以及
在所述试记录质量测定步骤中测定的信号质量劣于在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量的情况下,将在所述写策略变更步骤中变更的写策略参数还原的步骤。
9.根据权利要求4~6中的任一项所述的光记录方法,其特征在于,
所述写策略校正步骤还具有设定校正间隔更新步骤,在该步骤中,根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量,变更所述设定校正间隔。
10.根据权利要求9所述的光记录方法,其特征在于,
在所述设定校正间隔更新步骤中,在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量优于规定值的情况下,延长所述设定校正间隔,在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量劣于规定值的情况下,缩短所述设定校正间隔。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的光记录方法,其特征在于,
所述光记录方法还具有记录功率校正步骤,在该步骤中,在所述中断期间中,测定之前刚刚记录的信号的再现特性,根据所测定的再现信号的特性,进行记录功率的校正,
在一次的所述中断期间中,仅执行所述写策略校正步骤和所述记录功率校正步骤中的任意一方。
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