[发明专利]二次电池的劣化状态判定系统有效

专利信息
申请号: 200880117925.7 申请日: 2008-11-26
公开(公告)号: CN101874210A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 今西行喜;北村真一 申请(专利权)人: 株式会社尼普龙
主分类号: G01R31/36 分类号: G01R31/36
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池 状态 判定 系统
【说明书】:

技术领域

本发明涉及二次电池的劣化状态判定系统,更具体而言,本发明涉及判定备用电源中使用的二次电池的劣化状态的系统。

背景技术

目前,不间断电源装置(UPS)等的备用的电源采用镍氢电池、锂离子电池、铅蓄电池等的二次电池,在发生停电等的意外的情况时,通过来自二次电池的放电能量,使计算机等运行。

上述这样的备用电源即使在意外的情况下,仍必须向计算机等进行供电,从维护检修的观点来说,了解二次电池的适当的更换时间是重要的,期望正确地检测其劣化状态。

但是,关于二次电池的劣化,已知温度、放电容量、放电深度、经过时间、放电次数等的多种原因关系复杂,还已知正确地检测二次电池的劣化状态是困难的。

作为判定二次电池的寿命的装置,例如专利文献1所记载的电池寿命判定装置已被提出方案。

在该专利文献1所记载的电池寿命判定装置中,根据施加于二次电池的负荷电力和环境温度,对期待寿命值进行运算。另外,对二次电池的放电次数进行测定,根据已测定的放电次数,对第一寿命降低量进行运算。此外,根据二次电池的充放电时、停止时的平均温度,从设置二次电池起的经过时间,和上述环境温度,对第二寿命降低量进行运算。进而,根据上述期待寿命值,对上述第一寿命降低量和上述第二寿命降低量进行减法运算,对残余寿命进行运算。

上述第一寿命降低量L1和第二寿命降低量L2通过下述式求出:

L1=a×ln(b×N)+c

L2=d×D×2(Tm-T0/10)

另外,N表示放电次数,D表示经过时间,Tm表示按照一定的时间感觉测定的充放电时或停止时的二次电池温度的平均值,T0表示期待寿命算出时的环境温度,a、b、c、d表示常数。

专利文献1:日本特开2007-263952号文献

发明内容

直至数年前,不间断电源装置多用于设置在所谓的机房(server room)这样的稳定的温度环境中的计算机,也没有必要假定在严酷的环境中的使用。但是,伴随着计算机一般性地使用,也对数据的保护、连续运转的必要性提出了要求,伴随着备用电源的必要性为人们所普遍认知以及广泛地使用,其已使用在多种多样的环境中。

在上述专利文献1中,测定环境温度、放电次数、平均温度、经过时间,根据该已测定的数据,计算出残余寿命值,但是,在不间断电源装置广泛普遍地使用时,还具有用于高温环境中的情况,也具有在严酷的设置环境中预计的劣化值和实际的劣化状态发生较大的偏差的情况。

本发明的目的在于针对相关的问题,提供一种即使在多种多样的环境中,仍能够判定劣化状态的二次电池的劣化状态判定系统。

本发明的二次电池的劣化状态判定系统的特征在于,包括:

运行信息测定机构,测定由二次电池的温度,从制造年月日或从设置起的经过时间、放电深度、放电容量中的至少2个以上构成的二次电池的运行信息;劣化值运算机构,对与通过上述运行信息测定机构测定的2个以上的测定值分别对应的上述二次电池的劣化值,根据该测定值进行运算;劣化累积运算值存储机构,存储劣化累积运算值,该劣化累积运算值为针对由上述劣化值运算机构运算的劣化值、对每个该劣化值进行累积运算而得到;主累积运算值选择机构,将通过上述劣化累积运算值存储机构累积运算的2个以上的劣化累积运算值中最大的劣化累积运算值选择为主累积运算值;和综合劣化值运算机构,根据通过上述劣化累积运算值选择机构选择的主累积运算值,和与没有被选择为该主累积运算值的劣化累积运算值相对应的劣化值,计算综合劣化值。

于是,根据二次电池的多个运行信息,分别存储劣化累积运算值,将其中最大的劣化累积运算值作为主累积运算值。即,能够将劣化的最大的原因的数据反映到劣化状态的判定中。进而,关于其它的劣化原因,也反映到劣化状态的判定中,因此,能够判定更加正确的劣化状态。

另外,上述综合劣化值运算机构也可以对上述主累积运算值和与没有作为该主累积运算值选择的劣化累积运算值相对应的劣化值进行加法运算。

此外,还可以包括数据表存储机构,该数据表存储机构存储使通过上述运行信息测定机构测定的测定值和上述二次电池的劣化值相对应的数据表,上述劣化值运算机构根据存储于上述数据表存储机构中的数据表来对劣化值进行运算。

另外,上述二次电池也可为镍氢电池、锂离子二次电池、镍镉二次电池中的任意一个。

另外,上述二次电池也可以收纳于计算机的外壳内或控制装置内。

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