[发明专利]静电对策部件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880118096.4 申请日: 2008-11-20
公开(公告)号: CN101878569A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 胜村英则;德永英晃;沢田宗之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01T4/12 分类号: H01T4/12;H01T21/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 静电 对策 部件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用于吸收静电的静电对策部件。

背景技术

近年来,为了满足移动电话等电子设备的小型化、高性能化的要求,正在推进IC进一步的微细化、高集成化,而另一方面,耐压性不断降低。即使是像人体与电子设备的端子等接触时产生的静电放电电涌那样能量小的电涌,也会导致IC发生损坏或误动作。

作为对策,目前在采用如下方法:在静电侵入的布线与地之间设置静电对策部件,使静电旁通来抑制对IC施加的高电压。静电对策部件具有这样的特性:在通常状态下阻抗值高,将电气阻断,但当施加了静电等的高压时,阻抗值下降,可使电气通过。作为具有这样的特性的静电对策部件,公知有齐纳二极管、叠层压敏电阻器以及间隙放电元件等。

专利文献1、2公开了现有的作为静电对策部件的间隙放电元件。间隙放电元件具有:具有空洞部的陶瓷坯体;埋设在陶瓷坯体中的一对放电用电极;以及分别与放电用电极连接的端子电极。放电用电极经由空洞部而彼此相对。放电用电极通常处于断开状态,但当施加了静电等的高电压时,在空洞部内,在放电用电极之间发生放电,从而有电流流过。

从根本上讲,间隙放电元件与齐纳二极管、叠层压敏电阻器等其它静电对策部件相比,寄生静电电容值很小。当具有大的寄生静电电容值的静电对策部件与信号线相连时,在信号的频率高的情况下,信号质量劣化,因此,寄生静电电容值低的静电对策部件比较理想。因此,间隙放电元件可与上述那样的信号线连接。另外,在发生放电的空洞部内只有空气,不存在部件,因此,即使被施加了高电压的静电,陶瓷元件也不会受到损坏,与其它静电对策部件相比,具有优势。

然而,一对放电用电极隔开规定的间隔,于空洞部露出。而且,有时空洞部内的温度在静电放电时会瞬间达到2500℃以上的高温。因而当连续反复地施加了静电时,放电用电极可能发生熔化从而导致短路。

专利文献1:日本特开平1-102884号公报

专利文献2:日本特开平11-265808号公报

发明内容

静电对策部件具有:内部具有空洞部的陶瓷坯体;以及经由空洞部而相对的2个放电用电极。放电用电极由含有80%重量百分比以上的钨的金属构成。在放电用电极中,相对于钨的总量,与氧结合的钨的量为2.0%原子百分比以下。

对于该静电对策部件,即使反复对放电用电极施加高电压的静电,发生短路的可能性也很小,具有高可靠性。

附图说明

图1A是本发明的实施方式1的静电对策部件的立体图。

图1B是图1A所示的静电对策部件的线1B-1B处的剖视图。

图2A是示出实施方式1的静电对策部件的制造方法的剖视图。

图2B是示出实施方式1的静电对策部件的制造方法的剖视图。

图2C是示出实施方式1的静电对策部件的制造方法的剖视图。

图2D是示出实施方式1的静电对策部件的制造方法的剖视图。

图2E是示出实施方式1的静电对策部件的制造方法的剖视图。

图3A是示出实施方式1的静电对策部件的另一制造方法的俯视图。

图3B是图3A所示的静电对策部件的线3B-3B处的剖视图。

图4是示出实施方式1的静电对策部件的又一制造方法的剖视图。

图5是示出实施方式1的静电对策部件的静电放电试验的试验电路图。

图6示出了实施方式1的静电对策部件的静电对策部件的静电放电试验中的电压。

图7示出了实施方式1的静电对策部件的放电用电极的材料。

图8示出了用于形成实施方式1的静电对策部件的树脂层的树脂浆。

图9示出了实施方式1的静电对策部件的空洞部的尺寸以及放电用电极彼此相对的面积。

图10A示出了实施方式1的静电对策部件的特性。

图10B示出了实施方式1的静电对策部件的特性。

图11A示出了本发明的实施方式2的静电对策部件的特性。

图11B示出了本发明的实施方式2的静电对策部件的特性。

图12示出了对实施方式2的静电对策部件施加的静电脉冲电压与抑制峰值电压之间的关系。

标号说明

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