[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种利用丝网印刷方法来制造硅太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；

在所述硅半导体基板上形成掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；

在所述发射极层上的上电极连接到所述发射极层的位置处，利用丝网印刷方法来形成刻蚀掩模图案；

利用所述刻蚀掩模图案作为掩模，在所述发射极层上进行回蚀处理；

去除在进行了所述回蚀处理之后留下的所述刻蚀掩模图案；

在所述硅半导体基板的整个表面上形成防反射层；

使所述上电极穿过所述防反射层，并将所述上电极在上电极形成位置处连接到所述发射极层；以及

将下电极连接到所述硅半导体基板的下部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电杂质是p型杂质，所述第二导电杂质是n型杂质。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成刻蚀掩模图案的步骤包括：对玻璃粉糊进行丝网印刷处理，以形成所述刻蚀掩模图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成刻蚀掩模图案的步骤包括：对焊接材料、玻璃上硅(SOG)、和硅石浆中的任意一个进行丝网印刷处理，以形成所述刻蚀掩模图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，进行回蚀处理的步骤使用包括体积比为10∶0.1-0.01∶1-3∶5-10的HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂O的选择性湿刻蚀剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用所述选择性湿刻蚀剂以0.08μm/sec至0.12μm/sec的刻蚀速度来刻蚀所述发射极层的重掺杂区域，并且使用所述选择性湿刻蚀剂以0.01μm/sec至0.03μm/sec的刻蚀速度来刻蚀所述发射极层的轻掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，进行回蚀处理的步骤使用碱性湿刻蚀剂或等离子体干刻蚀剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述发射极层进行了所述回蚀处理之后，经过回蚀的发射极层的表面电阻在50Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述发射极层进行了所述回蚀处理之后，经过回蚀的发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，经过回蚀的发射极层的表面电阻大于未经回蚀的发射极层的表面电阻。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀掩模图案为网格形。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述刻蚀掩模图案之间的间隔在1mm至3mm的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述刻蚀掩模图案的宽度在50μm至200μm的范围内。

14.一种硅太阳能电池，该硅太阳能电池包括：

掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；

所述硅半导体基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；

所述硅半导体基板的整个表面上的防反射层；

穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及

连接到所述硅半导体基板的下部的下电极，

其中，所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层，

其中，所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

15.根据权利要求14所述的硅太阳能电池，其中，所述第二发射极层是使用回蚀处理形成的。

16.根据权利要求14所述的硅太阳能电池，其中，所述第一发射极层形成在所述上电极层连接到所述第一发射极层的位置。

17.根据权利要求14所述的硅太阳能电池，其中，使用刻蚀掩模图案作为掩模，对连接到所述上电极的所述发射极层进行丝网印刷处理，从而形成所述发射极层。