[发明专利]半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：

化合物半导体层，该化合物半导体层是至少层叠包含Ⅲ-V族化合物半导体的第1传导型的第1覆层、作为第1或与第1相反的传导型的第2传导型的包含Ⅲ-V族化合物半导体的发光层、和包含Ⅲ-V族化合物半导体的第2传导型的第2覆层而成的；

在所述第1覆层上形成的多个第1欧姆电极；

在所述第2覆层上形成的多个第2欧姆电极；

形成于所述化合物半导体层的所述第1覆层上，并与所述第1欧姆电极导通的透明导电膜；

在所述透明导电膜上形成的接合电极；和

配置在所述化合物半导体层的所述第2覆层侧，并与所述第2欧姆电极导通的支持板，

所述第1欧姆电极分散地配置在所述第1覆层的表面上，

在所述第2覆层的所述支持板侧的接合面上设置有多个凹部，并且在所述凹部的底部配置有所述第2欧姆电极，

在所述化合物半导体层上以被覆所述第2覆层的所述接合面和所述凹部内的所述第2欧姆电极的表面以及所述凹部的侧部的方式设置有电流扩散层，

所述支持板与所述电流扩散层接合。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述电流扩散层的与所述第2覆层接触的表面，由与构成所述第2覆层的Ⅲ-V族化合物半导体材料不共晶的金属材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，将被所述电流扩散层和所述支持板围绕的由来于所述凹部的空隙作为空洞。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，所述空隙设置在所述第1欧姆电极的铅直下方向的投影位置。

5.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：

化合物半导体层形成工序，该工序在基板上至少依次形成包含Ⅲ-V族化合物半导体的第1传导型的第1覆层、作为第1或与第1相反的传导型的第2传导型的包含Ⅲ-V族化合物的发光层、和第2传导型的第2覆层；

凹部形成工序，该工序在所述第2覆层的上面形成多个凹部；

第2欧姆电极形成工序，该工序在所述凹部的底部形成第2欧姆电极；

电流扩散层形成工序，该工序以用电流扩散层被覆所述凹部内的所述第2欧姆电极的表面以及所述凹部的侧部和所述凹部以外的区域的所述第2覆层的表面的方式形成电流扩散层；

支持板接合工序，该工序使所述凹部残存空隙并且使所述电流扩散层和用与所述电流扩散层相同的构成材料被覆了与所述电流扩散层接合的接合面的支持板接合；

除去所述基板的基板除去工序；

第1欧姆电极形成工序，该工序在所述第1覆层的上面分散地形成第1欧姆电极；和

接合电极形成工序，该工序用透明导电膜被覆所述第1欧姆电极的周围，并且在所述透明导电膜的上面形成接合电极。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述电流扩散层形成工序，采用包含与构成所述第2覆层的Ⅲ-V族化合物半导体层不共晶的金属材料的所述电流扩散层进行被覆。

7.根据权利要求5或6所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述电流扩散层形成工序，使所述凹部残存空洞而用所述电流扩散层进行被覆。

8.根据权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述第1欧姆电极形成工序，在所述第1覆层的上面的、所述空隙的铅直上方向的投影位置形成所述第1欧姆电极。