[发明专利]向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法、在半导体衬底的硅中形成沟道隔离的方法及形成多个二极管的方法

权利要求书

1.一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包含：

在半导体衬底的硅上方形成掩模，所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道；及使用所述掩模来向所述半导体衬底的所述硅中等离子体蚀刻沟道，所述等离子体蚀刻包含使用包含SF₆、含氧化合物及含氮化合物的前驱气体来形成蚀刻等离子体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧化合物及所述含氮化合物包含不同化合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧化合物及所述含氮化合物包含相同化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述相同化合物包含NO_x。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前驱气体包含HBr。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模在所述向所述硅中等离子体蚀刻的至少较后部分期间包含最外硬掩模层，所述最外硬掩模层不含碳。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氮化合物包含N₂。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述前驱气体包含HBr。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述前驱气体包含两种含氧化合物，所述含氧化合物中的一者不含氮，所述含氧化合物中的另一者包含所述含氮化合物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一者包含O₂且所述另一者包含NO_x。

11.一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包含：

在半导体衬底的硅上方形成掩模，所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道；及使用所述掩模来向所述半导体衬底的所述硅中等离子体蚀刻沟道，所述等离子体蚀刻包含包括含硫组分、含氧组分及NF_x的蚀刻等离子体。

12.根据权利要求11所述的方法，所述含硫组分的硫是由包含SF₆的前驱气体形成的。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述含氧组分的氧是由包含O₂的前驱气体形成的，且所述NF_x的氮是由不含氧的前驱气体化合物形成的。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述含氧组分的所述氧及所述NF_x的所述氮是由包含NO_x的前驱气体形成的。

15.一种在半导体衬底的硅中形成沟道隔离的方法，其包含：

在半导体衬底的硅上方形成掩模，所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道；

使用所述掩模来向所述半导体衬底的所述硅中等离子体蚀刻沟道，所述等离子体蚀刻包含使用包含SF₆、O₂及N₂的前驱气体来形成蚀刻等离子体；及将绝缘的沟道隔离材料沉积到所述沟道内。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述前驱气体包含HBr。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述前驱气体包含比SF₆及O₂中的每一者多的N₂。

18.根据权利要求15所述的方法，其中通过使用基本上由SF₆、O₂及N₂组成的前驱气体进行所述蚀刻等离子体的所述形成。