[发明专利]用于制造发射辐射的器件的方法以及发射辐射的器件

权利要求书

1.用于制造发射辐射的器件(1)的方法，具有步骤：

a)在与器件(1)的主辐射轴垂直的方向上，预先规定近场的场变化曲线(101，201)，其中所述近场具有强度变化曲线(300)，给所述强度变化曲线(300)分配有在所述强度变化曲线的曲线之下延伸的具有最大面积的矩形(301)，所述矩形填充所述近场的强度变化曲线的曲线下的总面积的至少50％；

b)沿着该方向从预先规定的近场计算发射辐射的器件(1)的折射率分布图(111，211，511)；

c)为器件(1)确定构造，使得器件(1)至少局部地具有之前确定的折射率分布图(111，211，511)；以及

d)根据之前确定的构造来构造发射辐射的器件(1)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中发射辐射的器件(1)具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，并且其中在步骤d)，沉积带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中所述半导体层序列具有被设置用于生成辐射的有源区(21)，其中半导体层序列的半导体层至少部分地包含化合物半导体材料并且借助于改变化合物半导体材料的组成沿着半导体本体(2)的半导体层序列的沉积方向调节折射率分布图(111，211，511)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中沿着另一与器件(1)的主辐射轴垂直的方向预先规定近场的场变化曲线，并且其中在步骤b)，垂直于主辐射轴并且垂直于所述折射率分布图(111，211)确定另一折射率分布图(511)，并且在步骤c)，确定器件(1)的构造，使得所述器件具有之前所确定的另一折射率分布图(511)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中对于近场的预先规定的场变化曲线(101，201)，如下比例关系式适用：

E_N(z)～exp[-(z/d)^α]，

其中α是大于2的偶数，并且d是近场的预先规定的场变化曲线(101，201)的宽度的尺度并且主辐射轴穿过z轴的零点。

5.发射辐射的器件，具有被设置用于生成辐射的有源区(21)，所述发射辐射的器件具有主辐射轴，并且垂直于主辐射轴具有折射率分布图(111，211)，

其中所述折射率分布图(111，211)从所述主辐射轴出发在所述主辐射轴的两侧随着距所述主辐射轴的距离增加而上升到最大值(24)，和

随着距所述主辐射轴的距离增加而从最大值(24)下降到比所述主辐射轴的区域中的折射率小的值，其中所述折射率分布图(111，211，511)从最大值(24)出发朝向主辐射轴比远离所述主辐射轴更缓慢地下降，并且其中辐射的近场垂直于器件的主辐射轴具有强度变化曲线(300)，给所述强度变化曲线(300)分配有在所述强度变化曲线的曲线之下延伸的具有最大面积的矩形(301)，所述矩形填充所述近场的强度变化曲线的曲线下的总面积的至少50％。

6.根据权利要求5所述的发射辐射的器件，

其中所述折射率分布图(111，211，511)局部地根据具有偶数幂的多项式的平方根而被形成。

7.根据权利要求5或6所述的发射辐射的器件，

其中所述近场具有强度变化曲线(300)，给所述强度变化曲线(300)分配有在所述强度变化曲线的曲线之下延伸的具有最大面积的矩形(301)，所述矩形填充所述近场的强度变化曲线的曲线下的总面积的至少60％。

8.根据权利要求5或6所述的发射辐射的器件，

其中器件(1)具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中有源区(21)被构造在半导体本体(2)中，并且其中所述折射率分布图(111，211)垂直于半导体本体(2)的半导体层的主延伸方向。

9.根据权利要求5或6所述的发射辐射的器件，

其中器件(1)具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中有源区(21)被构造在半导体本体(2)中，并且其中所述折射率分布图(511)在半导体本体(2)的半导体层的主延伸平面中伸展。