[发明专利]形成硅太阳能电池的背面点接触结构的方法

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，包括：

(a)在所述衬底的表面上提供钝化层；

(b)在所述钝化层上提供吸收层；

(c)将激光能量射向所述吸收层的选定区域，以在所述吸收层和钝化层中形成开口；

(d)通过所述开口施加掺杂原子，以在硅衬底中提供掺杂区；以及

(e)形成到所述掺杂区的电接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收层对所述激光能量的波长是不透明的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述激光波长大于360nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包括二氧化硅，所述吸收层包括非晶硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述钝化层包括二氧化硅，所述吸收层包括碳。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述吸收层是通过改变沉积的组成成分而作为沉积顺序的一部分来形成的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂原子是从硼、砷、磷或其组合的组中选择的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂原子是同时施加的砷和硼。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述掺杂原子是利用等离子体浸没离子注入来施加的。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述激光能量的强度足以熔化所述钝化层、下层硅衬底的表面、或所述两者。

11.一种处理衬底的方法，包括：

(a)通过等离子体沉积工艺在所述衬底的表面上沉积电介质层；

(b)提供具有预定波长的激光能量源；

(c)在所述电介质层上沉积材料层，所述材料层对所述预定波长是不透明的；

(d)会聚激光能量到所述材料层的选定区域上，以在所述材料层和所述电介质层中形成开口；

(e)使所述衬底的表面经受包含掺杂离子的等离子体，以将离子注入硅衬底的表面中；

(f)将所述衬底退火以激活所述掺杂原子，并在所述衬底中形成掺杂区；以及

(g)形成到所述掺杂区的电接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述电介质层是二氧化硅，所述材料层是非晶硅或碳。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂原子从硼、砷、磷或其组合的组中选择。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂原子是同时施加的硼和砷。

15.一种处理衬底的方法，包括：

(a)在硅衬底的表面上提供钝化层；

(b)在所述钝化层的预先选定的区域中形成开口；

(c)通过所述开口同时施加p型和n型掺杂原子，以在所述硅衬底中提供掺杂区；以及

(d)形成到所述掺杂区的电接触。