[发明专利]用于处理半导体加工部件的方法以及由此形成的部件

权利要求书

1.一种半导体加工部件，该部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平，其中该表皮杂质水平是进入该外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是在进入该外表面部分中至少3.0微米的深度上测量的，并且其中该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的80％，这些表皮杂质水平是基于Fe、Cr、和Ni中的一种的浓度的。

2.如权利要求2所述的部件，其中该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的70％。

3.如权利要求3所述的部件，其中该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的60％。

4.如权利要求1所述的部件，其中该表皮杂质水平和该本体杂质水平是基于Fe的浓度的，该表皮杂质水平不大于100ppb原子Fe。

5.如权利要求4所述的部件，其中该表皮杂质水平不大于50ppb原子Fe。

6.如权利要求1所述的部件，其中该外表面部分完全由CVD-SiC形成。

7.如权利要求6所述的部件，其中将该CVD-SiC沉积在包括SiC的一种基底上。

8.如权利要求7所述的部件，其中该基底包括用元素硅浸渍的SiC。

9.如权利要求7所述的部件，其中该CVD-SiC层具有大约10μm至大约1000μm范围的厚度。

10.如权利要求6所述的部件，其中该部件是一种独立式的CVD-SiC部件。

11.如权利要求1所述的部件，其中该表皮杂质水平和该本体杂质水平是基于Cr、Fe、Cu、Ni Al、Ca、Na、Zn、和Ti的浓度中的至少一个浓度的。

12.如权利要求11所述的部件，其中该表皮杂质水平和该本体杂质水平是基于Fe的浓度的。

13.如权利要求1所述的部件，其中该半导体加工部件包括来自下组一种部件，该组的构成为：半导体晶片桨叶、加工管、晶片舟皿、衬层、支座、长舟皿、悬臂杆、晶片支架、加工室、假晶片、晶片接受器、聚焦环、吊环。

14.如权利要求13所述的部件，其中该部件是一种晶片舟皿。

15.剥蚀一种半导体加工部件的一种方法，包括：

提供具有一个外表面部分的一种半导体加工部件，该外表面部分通过SiC的化学气相沉积形成；

去除该外表面部分的一个目标部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平，其中该表皮杂质水平是进入该外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是在进入该外表面部分中至少3.0微米的深度上测量的；并且

热处理该部件以将杂质从该外表面部分的表面上扩散出，由此该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的80％。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包括在该外表面部分的上面形成一个吸气剂层，这样在热处理过程中将杂质驱入该吸气剂层中。

17.如权利要求16所述的方法，其中该吸气剂层的杂质扩散系数比该外表面部分的杂质扩散系数至少大10²倍。

18.如权利要求16所述的方法，其中该吸气剂层包括通过该外表面部分的氧化形成的氧化硅、或者包括通过沉积形成的多晶硅。

19.如权利要求15所述的方法，其中热处理在至少1150℃的温度下进行至少5小时的一段时间。

20.如权利要求15所述的方法，其中热处理是在一种卤化物气体的存在下进行的。

21.如权利要求15所述的方法，其中该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的70％。

22.如权利要求15所述的方法，其中该表皮杂质水平不大于100ppb原子Fe。