[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200880118787.4 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101884110A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 岛田干夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：栅电极、栅绝缘层、包含非晶氧化物的半导体层、源漏电极、以及保护层，其中：
所述半导体层包含
与形成有所述源漏电极的区域相对应的第一区域，和
不与形成有所述源漏电极的区域相对应的第二区域；以及
至少所述第一区域包含组分与第二区域中的非晶氧化物的组分不同的结晶成分。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：所述结晶成分包含所述半导体层中所含有的金属；以及，所述结晶成分中每单位体积的所述金属的比例大于所述第一区域中的每单位体积的所述金属的比例。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层是包含In、Sn、Zn和Ga中至少之一的非晶氧化物半导体。
4.一种显示器件，其使用如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。
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