[发明专利]用于行进金属基底的等离子处理的方法和装置

权利要求书

1.用于金属基底或绝缘基底的等离子体处理的方法，其中至少一个基底基本连续地在具有处理区域(2)的真空室中行进，穿过该处理区域(2)，所述等离子体借助于连接至射频发生器的感应器(4)通过射频感应耦合而被保持在处理区域(2)中，其中通过法拉第屏(7)保护感应器(4)免于被所述基底(3)的表面所发射物质的污染，所述法拉第屏(7)位于所述等离子体和所述感应器(4)之间，

其特征在于：所述法拉第屏(7)构成一导电电极；并且，所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)或相对于存在于所述等离子体中的反电极(23)被平均正电极化，因此将存在于所述等离子体中的离子朝着所述基底(3)或朝着所述反电极(23)加速，并且在形成所述法拉第屏(7)的电极处回收来自所述等离子体的电子。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述法拉第屏(7)经受一系列包括负脉冲的极化循环。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述法拉第屏(7)的激发频率相对于连接至感应器(4)的射频发生器的频率低至少10倍，并且具体低于1MHz。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)被平均正极化；并且供给法拉第屏(7)的电源在该法拉第屏(7)和所述基底(3)之间连接，并且与所述处理区(2)中在所述法拉第屏(7)前面移动的所述基底(3)的面积成比例地被调节功率。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于：在所述法拉第屏(7)和所述基底(3)或所述反电极的表面之间保持2cm、优选5cm的最小间距。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于：在所述感应器(4)由所述射频发生器施以功率之前在所述处理区域(2)中产生等离子体。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于：所述等离子体通过在所述基底(3)进入和/或离开所述处理区域(2)处产生磁场而被限定在所述处理区域(2)内。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于：在所述法拉第屏(7)和所述基底(3)之间施加的电功率至少等于用于产生所述等离子体的射频功率。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于：通过存在的一系列的槽(15)允许将所述感应器(4)的电磁功率穿过所述法拉第屏(7)传递给所述等离子体，所述槽(15)基本互相平行且基本垂直于所述感应器(4)中感应电流的方向。

10.用于通过等离子体处理金属或绝缘基底的装置，其包括具有处理区域(2)的真空室，金属基底或绝缘基底基本连续地在该真空室中行进，所述装置包括：感应器(4)，该感应器连接至射频发生器以便产生等离子体；和法拉第屏(7)，该法拉第屏邻接所述等离子体并位于所述等离子体和感应器(4)之间用以保护所述感应器(4)免于由所述基底(3)的表面所发射材料的污染，其中所述等离子体在所述处理区域(2)中产生，或者在所述法拉第屏和反电极(23)之间的空间中产生，

其特征在于：所述法拉第屏(7)构成一导电电极，并且相对于所述基底(3)或相对于所述反电极(23)被平均正电极化。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于：在所述感应器(4)和所述法拉第屏(7)之间设置中间空间，该中间空间充满介电材料(11)。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于：所述感应器(4)和所述法拉第屏(7)之间的距离在0.1cm-10cm之间。

13.如权利要求11或12所述的装置，其特征在于：所述中间介电材料(11)包括特弗隆的聚合物、陶瓷泡沫或玻璃棉或氧化铝棉。

14.如权利要求10至13中任一项所述的装置，其特征在于：在所述法拉第屏(7)和该法拉第屏(7)的电源之间设置一低通过滤器，仅允许频率低于1MHz并且优选低于100KHz的频率通过。

15.如权利要求10至14中任一项所述的装置，其特征在于：所述法拉第屏(7)具有一系列的槽(15)，所述槽基本互相平行并基本垂直于所述感应器(4)中感应电流的流动方向。