[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电子电路(40)；

至少两个焊盘(10)，所述焊盘(10)用于将所述电子电路(40)连接到衬底(1)外面的外部器件；

电流传感器(20)，所述电流传感器(20)用于感测形成度量在所述衬底(1)与所述焊盘(10)之间流动的电流总量的参数；

控制单元(60)，所述控制单元(60)连接到所述电流传感器和所述电子电路(40)，用于基于所述电流总量来控制所述电子电路(40)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电子电路(40)具有正常模式和至少两个非正常模式，并且其中所述控制单元(60)包括：

选择单元，所述选择单元连接到所述电流计(50)，用于基于所述测量到的参数来选择非正常模式，以及

模式控制器，所述模式控制器连接到所述选择单元，并且用于控制所述电子电路(40)以使其处于选定的非正常模式。

3.根据在前权利要求所述的半导体器件，其中所述电子电路(40)包括形成所述模式控制器的逻辑电路(61)。

4.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述电流传感器(20)包括在所述焊盘(10)与所述电子电路(40)之间设置的所述衬底(1)的传感器部分(3)，所述传感器部分(3)是用于所述注入电流的路径的一部分。

5.根据在前权利要求所述的半导体器件，其中环绕所述焊盘(10)的所述衬底的至少焊盘部分(2)提供有第一类型的掺杂物，并且所述部分(3)提供有第二类型的掺杂物。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中所述传感器部分(3)环绕衬底(1)的电路区域(6)，在所述电路区域中存在所述电子电路(40)。

7.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述电子电路(40)包括逻辑电路，以及所述电流计(50)包括与逻辑电路相连接的模数转换器。

8.根据在前权利要求所述的半导体器件，其中模数转换器是电子电路的一部分。

9.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述衬底(1)包括在焊盘(10)与电子电路(40)之间的势垒(4、5)，所述势垒至少部分地抑制焊盘(10)与电子电路(40)之间的电流。

10.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，包括：

传感器，所述传感器用于感测在所述衬底(1)与所述至少一个焊盘(10)中的至少一个之间流动的所述电流；

检测器(62)，所述检测器(62)连接到传感器，用于检测所述电流超过电流阈值；以及

电流计控制器(63)，所述电流计控制器(63)连接到所述检测器和所述电流计(50)，用于当所述电流超过所述阈值时激活所述电流计(50)。

11.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，包括：

传感器(3)，所述传感器(3)用于感测在所述衬底(1)与所述至少一个焊盘(10)中的至少一个之间流动的所述电流；

检测器(62)，所述检测器(62)连接到传感器，用于检测所述电流超过电流阈值，并且当所述电流超过所述阈值时，将适于由所述电子电路处理的信号输出到所述电子电路(40)。

12.根据在前权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中所述电子电路(40)包括以下组成的组中的一个或多个：

微处理器、中央处理单元、协处理器、数字信号处理器、嵌入式处理器、微控制器。

13.一种包括根据在前权利要求的任一项所述的半导体器件的装置。