[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200880118934.8 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101884090A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 中川和男;竹井美智子;福岛康守;富安一秀;松本晋;多田宪史;高藤裕 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，在形成有被转移层的半导体基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将上述半导体基板接合到目标基板，在上述氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离上述半导体基板来将上述被转移层转移到上述目标基板上，其特征在于：
在上述半导体基板和目标基板的接合界面与上述被转移层之间，设有隔断物质扩散的隔断层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
上述隔断层是隔断成为气泡产生原因的物质从上述被转移层侧扩散的隔断层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
上述隔断层由如下材料构成：其晶体内细孔或者晶体间间隙小于成为上述气泡产生原因的物质的大小。
4.根据权利要求2或者3所述的半导体装置，其特征在于：
上述成为气泡产生原因的物质是从包括水、氢以及碳化氢的群中所选的至少一种离子或者分子。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：
上述隔断层由氮化硅构成。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：
在上述隔断层和目标基板之间，设置有均匀厚度的氧化硅膜。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
上述氧化硅膜的膜厚是在5nm～100nm的范围内。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于：
上述隔断层是隔断可动离子从上述目标基板侧扩散的隔断层。
9.一种半导体装置的制造方法，是如下半导体装置的制造方法：在形成有被转移层的半导体基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将上述半导体基板接合到目标基板，在上述氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离上述半导体基板来将上述被转移层转移到上述目标基板上，所述半导体装置的制造方法的特征在于：
在上述半导体基板和目标基板的接合界面与上述被转移层之间，设置隔断物质扩散的隔断层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
