[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和显示器件的制造方法有效
| 申请号： | 200880118999.2 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101884112A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;小松立 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 显示 器件 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：
形成第一导电膜；
在第一导电膜之上形成绝缘膜；
在绝缘膜之上形成半导体膜；
在绝缘膜之上形成杂质半导体膜；
在杂质半导体膜之上形成第二导电膜；
在第二导电膜之上形成第一抗蚀剂掩模；
使用第一抗蚀剂掩模对绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜进行第一蚀刻以至少使第一导电膜的表面暴露；
对第一导电膜的一部分进行第二蚀刻以便以栅极电极的宽度比绝缘膜的宽度窄的方式形成栅极电极层；
在第二导电膜之上形成第二抗蚀剂掩模；以及
使用第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、和半导体膜的一部分进行第三蚀刻以形成源极和漏极电极层、源极和漏极区层、和半导体层。
2.一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：
形成第一导电膜；
在第一导电膜之上形成绝缘膜；
在绝缘膜之上形成半导体膜；
在绝缘膜之上形成杂质半导体膜；
在杂质半导体膜之上形成第二导电膜；
在第二导电膜之上形成包括凹陷部分的第一抗蚀剂掩模；
使用第一抗蚀剂掩模对绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜进行第一蚀刻以至少使第一导电膜的表面暴露；
对第一导电膜的一部分进行第二蚀刻以便以栅极电极的宽度比绝缘膜的宽度窄的方式形成栅极电极层；
通过使第一抗蚀剂掩模凹入以便使与第一抗蚀剂掩模的凹陷部分重叠的第二导电膜的一部分暴露来形成第二抗蚀剂掩模；以及
使用第二抗蚀剂掩模对第二导电膜、杂质半导体膜、和半导体膜的一部分进行第三蚀刻以形成源极和漏极电极层、源极和漏极区层、和半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在形成第二抗蚀剂掩模之后执行第二蚀刻。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，使用多色调掩模来形成第一抗蚀剂掩模。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，
其中，第一蚀刻是干法蚀刻，以及
其中，第二蚀刻是湿法蚀刻。
6.一种薄膜晶体管，包括：
绝缘表面上的栅极电极；
栅极电极之上的绝缘膜；
绝缘膜之上的半导体层；
半导体层之上的杂质半导体层；以及
杂质半导体层之上的导电膜，
其中，邻近于栅极电极且在所述绝缘膜与所述绝缘表面之间形成腔体。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，
其中，所述半导体层具有作为沟道区的第一凹陷部分。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，
其中，所述半导体层具有与所述腔体重叠的第二凹陷部分。
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