[发明专利]PVD真空镀层设备

权利要求书

1.一种真空镀层设备，包括：

-与泵系统(2)连接的真空过程腔室(1)；

-至少一个反应气体入口(12)，其与至少一个反应气体容器(13)连通；

-至少一个具有阳极(10)和平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21)；

-带有多个基材(7)的基材载体(6)；

-门机(4)，其设置在真空过程腔室(1)上，用于给腔室装载衬底载体(6)；

-输送装置(5)，用于输送基材载体(6)经过门机(4)，并间隔于平面的阴极(11)的区域一定距离地定位在真空过程腔室(1)中；

-电源(16、18)，其与PVD镀层源(8、16)连接，

其特征在于：基材载体(6)二维地水平延展，该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间；多个基材(7)是切削刀具，且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E)，这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上，其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间，使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′)，且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。

2.如权利要求1所述的镀层设备，其特征在于，基材(7)与运动装置(26、27、30)连接，它们共同地在一个平面上设置在基材载体(6)上，且优选形成用于基材(7)的旋转装置。

3.如权利要求1所述的镀层设备，其特征在于，基材(7)固定地位于基材载体(6)内，其中至少一个切削边(E)，在一个阴极(11)的相应对应侧，在任何时候都有至少50％，优选70％的长度在可见方向上暴露于该相应的阴极对面。

4.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，PVD镀层源(8、21)是溅射源，特别是磁控管源，和/或优选是电弧蒸镀源。

5.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，基材载体(6)具有基材垫板(24)，该基材垫板设有多个孔(25)，平面的基材(7)插入到这些孔中，其中该装置优选是格栅结构，例如是铁丝格栅(25′)，该铁丝格栅被周围的框架(23)保持，并优选由导电的材料构成。

6.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，基材载体(6)与偏置电源连接。

7.如权利要求6所述的镀层设备，其特征在于，偏置电源是DC电源、AC电源、MF电源、RF电源，或者优选是脉冲式电源，其中该脉冲式电源形成双极的或单极的脉冲。

8.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，设有两个PVD镀层源(8、21)，它们基本上彼此相对，基材载体(6)位于水平的输送面(3)上，并间隔地设置在平面的阴极(11)之间，使得一个源位于基材载体(6)的上方，而另一个源位于基材载体(6)的下方，且这些源形成彼此相向的镀层源对(8、21)。

9.如权利要求8所述的镀层设备，其特征在于，设有至少两个PVD镀层源对(8、21)。

10.如权利要求8或9中任一项所述的镀层设备，其特征在于：镀层源对(8、21)的两个阴极(11)与脉冲式大电流电源(17)连接；至少一个镀层源对(8、21)由电弧蒸镀源构成。

11.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，基材(7)基本上是平面的，优选是板状的，且延展范围为5mm至60mm，优选是转位式刀片。

12.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，反应气体容器(13)含有氮气、氧气、碳氢化合物、硅氢化合物、硼氢化合物、氢气中的任一种，优选含有氧气。

13.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，基材载体(6)容纳有至少30个基材(7)，优选最多1000个，优选至少200件至最多600件。

14.如前述权利要求中任一项所述的镀层设备，其特征在于，基材载体(6)与运动装置(22)连接，用于相对于PVD镀层源对(8、21)进行周期性的相对的运动，其中运动装置(22)优选是水平运动装置。